CMOS带隙基准电压源

作品数：35被引量：104H指数：6
导出分析报告
相关领域：电子电信更多>>
相关作者：范涛冯勇建袁国顺李红张萌更多>>
相关机构：中国科学院微电子研究所东南大学厦门大学西安电子科技大学更多>>
相关期刊：《电子技术应用》《重庆邮电大学学报（自然科学版）》《电子与封装》《科技资讯》更多>>
相关基金：国家自然科学基金国家杰出青年科学基金甘肃省科技支撑计划上海市科委国际合作基金更多>>
-
在结果中检索

检索结果分析

结果分析中...
共 条 记 录，以下是1-10
全选清除导出
参考文献引证文献引用追踪
视图：
排序：
一种带有曲率补偿的CMOS带隙基准电压源
《河南师范大学学报（自然科学版）》2023年第1期83-88,I0002,共7页都文和 杨轲 康嘉浩 潘靖雪 徐正 
黑龙江省教育厅科学研究项目(12521603).
为降低传统双极结型晶体管(Bipolar Junction Transistor,BJT)型带隙基准源温度系数高的问题,提出了一种带有高阶曲率补偿的带隙基准电压源,极大降低了带隙基准源的温度系数.设计基于传统BJT型带隙基准电路,采用高阶曲率补偿电路对温度...
关键词：带隙基准 运算放大器 曲率补偿 温度系数 Cadence仿真 
一种阵列式版图布局的低温度系数CMOS带隙基准电压源被引量：3
《半导体技术》2021年第1期24-29,共6页王鹏飞 刘博 段文娟 张立文 张金灿 
国家自然科学基金资助项目(61704049,61804046);河南省科技厅重点科技攻关项目(192102210087,202102210322)。
设计了一款低温度系数的自偏置CMOS带隙基准电压源电路,分析了输出基准电压与关键器件的温度依存关系,实现了低温度系数的电压输出。后端物理设计采用多指栅晶体管阵列结构进行对称式版图布局,以压缩版图面积。基于65 nm/3.3 V CMOS RF...
关键词：互补金属氧化物半导体(CMOS) 带隙基准电压源 低温度系数 亚阈值区 晶体管阵列版图 
低温漂系数共源共栅CMOS带隙基准电压源被引量：2
《微电子学》2016年第4期488-492,共5页邓玉斌 曾以成 陈星燕 张东亮 
国家自然科学基金资助项目(61471310)
设计了一种低温漂系数的共源共栅CMOS带隙基准源,采用自偏置共源共栅结构,提高了电路的电源抑制比,降低了电路的工作电源电压。采用不同温度下从输出支路抽取不同值电流的电路结构,在低温段抽取一个正温度系数电流,在高温段再注入一个...
关键词：带隙基准电压源 共源共栅 低温漂系数 电流抽取 
一种低功耗亚阈值CMOS带隙基准电压源被引量：9
《微电子学与计算机》2015年第10期151-154,158,共5页邢小明 李建成 郑礼辉 
国家自然科学基金项目(61201167)
提出了一种新型的低功耗亚阈值型CMOS带隙基准电压电路.该电路在不增加工作电源电压的情况下具有低功耗、低温度系数和高可靠性的优越性能,采用TSMC 0.18μm工艺仿真实现.该设计电路由MOS管、双极型晶体管和电阻组成,并且所有MOS管均工...
关键词：低功耗 低温度系数 亚阈值 CMOS 
斩波调制的1.25V CMOS带隙基准电压源被引量：1
《微型电脑应用》2014年第6期31-34,共4页黄灿灿 
带隙基准电压源广泛应用在模拟集成电路中,为集成电路芯片系统提供稳定的直流参考电压,是电路设计中不可或缺的一个单元模块。设计了1.25V CMOS带隙基准电压源电路,采用斩波调制技术改进了电路结构,以提高输出基准电压的精度。基于CSMC ...
关键词：CMOS 带隙基准源 斩波 失调电压 
一种高性能CMOS带隙基准电压源的设计被引量：4
《贵州大学学报（自然科学版）》2014年第2期69-73,共5页杨毅 梁蓓 
贵州省科学技术基金项目(黔科合J字[2011]2203)
基于CSMC的0.5μm CMOS工艺库模型,设计了一种具有良好性能的CMOS带隙基准电压源电路,并且利用Cadence公司的Spectre仿真工具对电路进行了仿真。所设计电路产生的基准电压约为1.14 V,在-40℃到100℃的温度范围内所得到的温度系数为4.6 p...
关键词：带隙基准电压源 温度系数 电源抑制比 
高精度CMOS带隙基准电压源电路设计被引量：2
《电子设计工程》2014年第2期71-74,共4页刘鸿雁 
设计了一种应用于集成稳压器的高精度带隙基准电压源电路.采用共源共栅电流镜结构以及精度调节技术,有效提高了电压基准的温度稳定性和输出电压精度.经Hynix 0.5 μm CMOS工艺仿真验证表明,在25℃时,温度系数几乎为零,基准电压随电源电...
关键词：集成稳压器 带隙基准 高精度 基准调节 
一种高电源抑制比的CMOS带隙基准电压源(英文)
《哈尔滨商业大学学报（自然科学版）》2013年第4期443-447,465,共6页周前能 段晓忠 李红娟 
重庆市自然科学基金项目(cstcjjA40011);重庆市教委科学技术研究项目(KJ120503,KJ120533);重庆邮电大学博士启动基金项目(A2010-09)
设计了一种采用前调整器的高电源抑制比的CMOS带隙基准电压源.基于CSMC 0.5μm标准CMOS工艺,分别对有前调整器与没有前调整器的CMOS带隙基准电压源进行了设计与仿真验证.仿真结果显示,采用前调整器的带隙基准在100 Hz、1 kHz、100 kHz...
关键词：带隙基准 电源抑制比 前调整器 
一种新型CMOS带隙基准电压源被引量：1
《电子与封装》2012年第4期16-19,共4页吴旭 陈迪平 黄嵩人 季惠才 王镇道 
传统带隙基准源电路采用PNP型三极管来产生ΔVbe,此结构使运放输入失调电压直接影响输出电压的精度。文章在对传统CMOS带隙电压基准源电路原理的分析基础上,提出了一种综合了一阶温度补偿和双极型带隙基准电路结构优点的高性能带隙基准...
关键词：带隙电压基准源 温度系数 电源抑制比 
带2阶补偿的CMOS带隙基准电压源被引量：4
《微电子学》2012年第1期38-41,共4页刘云涛 魏锡盟 邵雷 
中央高校基本科研业务费专项资金资助项目(HEUCF110801)
基于CSMC 0.5μm CMOS工艺,设计了一种具有低温度系数、带2阶补偿的带隙基准电压源。在传统放大器反馈结构带隙基准源的基础上,利用MOS器件的"饱和电流与过驱动电压成平方关系"产生2阶补偿量,对传统的带隙基准进行高阶补偿。具有电路实...
关键词：带隙基准源 温度系数 2阶补偿 
全选清除导出
共4页<1234>
检索报告 对象比较 聚类工具 使用帮助 返回顶部