一种高电源抑制比的CMOS带隙基准电压源(英文)  

A high PSRR CMOS bandgap voltage reference

作　　者：周前能[1,2] 段晓忠[1] 李红娟[3] 

机构地区：[1]重庆邮电大学光电工程学院,重庆400065 [2]中电第二十四研究所模拟集成电路重点实验室,重庆400060 [3]重庆邮电大学计算机科学与技术学院,重庆400065

出　　处：《哈尔滨商业大学学报（自然科学版）》2013年第4期443-447,465,共6页Journal of Harbin University of Commerce：Natural Sciences Edition

基　　金：重庆市自然科学基金项目(cstcjjA40011);重庆市教委科学技术研究项目(KJ120503,KJ120533);重庆邮电大学博士启动基金项目(A2010-09)

摘　　要：设计了一种采用前调整器的高电源抑制比的CMOS带隙基准电压源.基于CSMC 0.5μm标准CMOS工艺,分别对有前调整器与没有前调整器的CMOS带隙基准电压源进行了设计与仿真验证.仿真结果显示,采用前调整器的带隙基准在100 Hz、1 kHz、100 kHz处分别获得了-117.3 dB、-106.2 dB、-66.2 dB的高电源抑制比,而没有采用前调整器的CMOS带隙基准在100 Hz、1 kHz、100 kHz处仅分别获得了-81.8、-80.1、-44.9 dB的电源抑制比;在-15～90℃范围内,采用前调整器的带隙基准的温度系数为6.39 ppm/℃;当电源电压在2.2～8 V变化时,采用调整器的带隙基准的输出电压变化仅9.73μV.A high power supply rejection ratio （PSRR） CMOS bandgap reference （BGR）, which adopt a pre-regulator, is designed in this paper. To facilitate comparison, BGRs with- and without-pre-regulator are, respectively, design and simulate in the CSMC 0.5 p.m stand- ard CMOS process technology. Simulation results show that PSRR of designed BGR with pre- regulator achieves, respectively, -117.3 dB, -106.2 dB and-66.2 dB at 100 Hz, 1 kHz and 100 kHz, while PSRR of BGR without pre-regulator had only, respectively, -81. 8 dB, -80.1 dB and -44.9 dB at 100 Hz, 1 kHz and 100 kHz. The BGR with pre-regu- lator achieve the temperature coefficient of 6.39 ppm/℃ in temperature range from - 15 ℃ to 90 ℃. When power supply voltage Vdd changes from 2.2 to 8V, output voltage deviation of the BGR with pre-regulator is only 9.73 μV.

关 键 词：带隙基准 电源抑制比 前调整器 

分 类 号：TP301[自动化与计算机技术—计算机系统结构]