透明铁电薄膜的织构生长及薄膜铁电性研究  

作　　者：熊四辈 刘治国[1] 陈晓原[1] 

机构地区：[1]南京大学固体微结构物理国家重点实验室,南京210093

出　　处：《科学通报》1996年第11期1051-1053,共3页Chinese Science Bulletin

基　　金：国家自然科学基金;西安交通大学电子材料实验室开放课题资助项目

摘　　要：钛酸钡、钛酸铅、锆钛酸铅镧等铁电陶瓷已在压电、热释电器件中得到广泛的应用,其薄膜形式由于能集成化,可用于多种微电子器件,如非挥发性存储器(NVFRAM)、声表面波器件(SAW)、光开关、波导、调制器等,在微电子和光电子领域有巨大应用潜力。掺镧钛酸铅薄膜有较强的电光特性,铁电薄膜的制备方法常用的有磁控溅射、Sol-Gel和MOCVD,磁控溅射在精确控制薄膜的化学计量比上有困难,Sol-Gel和MOCVD工艺要求特殊的金属有机化合物;脉冲激光沉积(pulsed laser deposition)方法,简称PLD,用陶瓷作靶材可以保持靶、膜成分一致,能在大氧压下沉积高熔点材料,目前采用PLD技术已成功地制备出YBCO,PZT等多种薄膜。在硅衬底上以PLD法制备多晶(Pb,La)TiO^3薄膜已有报道。

关 键 词：织构生长 铁电性 铁电薄膜 铁电陶瓷 

分 类 号：TM282[一般工业技术—材料科学与工程]