铁电存储器的基本单元及其工作模式  

Memory Elements and Theirs Operating Processes of Ferroelectric Memory

作　　者：李建军[1] 王耘波[1] 王龙海[1] 高俊雄[1] 于军[1] 

机构地区：[1]华中科技大学电子科学与技术系,武汉430074

出　　处：《计算机与数字工程》2006年第1期8-12,共5页Computer & Digital Engineering

基　　金：国家自然科学基金重大研究计划项目(90407023)资助

摘　　要：按照铁电储存器的破坏性读出和非破坏性读出的这两种基本工作模式及其所对应的铁电随机存取存储器FRAM和铁电场效应晶体管FFET两种结构形式的分类,分别介绍了1T/1C,2T/2C结构和铁电场效应晶体管金属-铁电-半导体(MFS)结构的基本铁电存储单元的结构及其工作模式。Ferroelectric memory elements, 1T/1C, 2T/2C and MFS, and theirs operating processes are respectively introduced briefly in this paper, according to Ferroelectrie Random Access Memory and Ferroelectrie Field-Effect Transistor corresponding operating processes of fermelectrie memory, destructive read out and non- destmetive read out.

关 键 词：FRAM FFET 2T/2C 1T/1C 

分 类 号：TP333[自动化与计算机技术—计算机系统结构]