FFET

作品数：6被引量：18H指数：2
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相关领域：电子电信自动化与计算机技术更多>>
相关作者：于军郭冬云王耘波谢基凡周志刚更多>>
相关机构：华中科技大学南通大学中国科学院武汉理工大学更多>>
相关期刊：《功能材料》《计算机工程与应用》《计算机与数字工程》《微纳电子技术》更多>>
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基于电容模型的多层栅FFET研究
《计算机工程与应用》2011年第35期54-57,共4页张振娟 陆健 
江苏省自然科学基金(No.BK2010275);南通市应用研究计划项目(No.K2010014);江苏省大学生实践创新计划项目
通过SILCAVO软件仿真了铁电场效应晶体管漏极电流L特性。在研究了单层栅极的结构铁电场效应管的Id与铁电参数（ε,Ec，Pr，Ps／Pr）的关系基础上，提出了一种新型结构一电容模型多层栅极结构的铁电场效应管研究，发现具有多层栅极结构...
关键词：铁电场效应晶体管 极化 矫顽场 漏极电流 电容模型 
高P_r/低P_r栅FFET漏极电流与铁电材料特性的关系被引量：1
《微纳电子技术》2010年第11期659-662,673,共5页顾江 施敏 王强 蔡小鹏 
江苏省自然科学基金资助项目(BK20082317);南通大学自然科学基金资助项目(08Z024);南通大学杏林学院自然科学基金资助项目(2010k120);江苏省大学生创新项目;南通市应用研究计划资助项目(k2010033)
分析了对铁电场效应晶体管漏极电流特性有影响的铁电材料参数,设计了具有单层和双层栅介质结构的铁电场效应晶体管,并进行了仿真研究。仿真结果表明：具有高Pr/低Pr栅介质结构的铁电场效应晶体管在饱和极化后,其极化前后输出漏极电流差...
关键词：铁电场效应晶体管(FFET) 双层栅 铁电材料 漏极电流 极化 仿真 
铁电存储器的基本单元及其工作模式
《计算机与数字工程》2006年第1期8-12,共5页李建军 王耘波 王龙海 高俊雄 于军 
国家自然科学基金重大研究计划项目(90407023)资助
按照铁电储存器的破坏性读出和非破坏性读出的这两种基本工作模式及其所对应的铁电随机存取存储器FRAM和铁电场效应晶体管FFET两种结构形式的分类,分别介绍了1T/1C,2T/2C结构和铁电场效应晶体管金属-铁电-半导体(MFS)结构的基本铁电存...
关键词：FRAM FFET 2T/2C 1T/1C 
MFS结构钛酸铋薄膜的C-V特性研究被引量：3
《功能材料》2004年第2期180-182,共3页郭冬云 王耘波 于军 王雨田 王宝义 魏龙 
国家自然科学基金资助项目(60171012)
　利用sol gel方法在p Si(111)基底上制备钛酸铋薄膜。测量不同退火温度下得到的In/BTO/p Si结构的C V曲线,测量结果表明制备的MFS结构钛酸铋薄膜在合适的制备工艺下可望实现极化型存储。
关键词：MFS结构 钛酸铋薄膜 C-V特性 制备 铁电材料 FFET 信息存储 
铁电存储器研究进展被引量：14
《信息记录材料》2002年第1期31-35,共5页周志刚 王耘波 王华 于军 谢基凡 郭冬云 
国家自然科学基金(69771024)
铁电薄膜与半导体集成技术相结合而发展起来的铁电存储器,以其高密度、高速度、非易失性以及抗辐射性而大大优于目前任何一种半导体存储器。介绍了铁电存储器的存储原理、特点、基本存储单元、研究进展、应用及存在的问题等。
关键词：铁电存储器 研究进展 铁电薄膜 FRAM FFET 
基本FFET的试制和性能研究
《华中理工大学学报》1996年第3期68-70,共3页于军 周文利 曹广军 谢基凡 
国家863高技术资助
论述了铁电场效应晶体管（ＦＦＥＴ）的基本工作原理，给出了其设计方案．采用ＳＯＬ－ＧＥＬ法制备了基本的ＭＦＳ－ＦＥＴ和ＭＦＯＳ－ＦＥＴ，对其电性能进行了测试分析．测试结果表明：ＭＦＯＳ结构的ＦＦＥＴ具有极化存储特性．
关键词：MFOS结构 FFET 场效应晶体管 铁电场效应器件 
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