谢基凡

作品数：34被引量：66H指数：5
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供职机构：华中科技大学更多>>
发文主题：铁电薄膜巨磁电阻PZT荧光灯电子镇流器场效应晶体管更多>>
发文领域：电子电信电气工程自动化与计算机技术理学更多>>
发文期刊：《仪器仪表学报》《电子元件与材料》《磁性材料及器件》《微电子学》更多>>
所获基金：国家自然科学基金国家高技术研究发展计划湖北省自然科学基金武汉市青年科技晨光计划更多>>
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芯片毛细管电泳电化学检测被引量：3
《分析科学学报》2004年第4期426-429,共4页张旭 高俊雄 王耘波 谢基凡 钟德刚 于军 
电化学检测以其固有的灵敏度高、选择性可调、便于微型化、低功耗、低成本等特点,已成为芯片毛细管电泳系统中颇具潜力的检测方法。本文综述了近年来芯片毛细管电泳电化学检测技术的研究进展,包括芯片设计、加工、检测系统、检测方法等...
关键词：电化学检测 芯片毛细管电泳 微型全分析系统 伏安法 电导法 电势法 
一种模拟温度补偿晶体振荡器补偿参数自动设置系统被引量：6
《仪器仪表学报》2003年第5期462-465,共4页喻骞宇 高俊雄 刘刚 谢基凡 王耘波 于军 
介绍了一种采用快速获取数据方法的模拟温度补偿晶体振荡器 (ATCXO)的补偿参数自动设置系统。该系统通过快速测量和计算 ,自动生成补偿网络参数。经过试验和测试分析 ,在 - 10～ +6 0℃温度范围内 ,AT切 TCXO的频率稳定度达到± 0 .5 p...
关键词：模拟温度补偿晶体振荡器 ATCXO 补偿网络 自动设置系统 石英晶体振荡器 
铁电存储场效应晶体管I-V特性的物理机制模拟被引量：1
《微电子学》2002年第2期109-112,共4页周志刚 王耘波 于军 谢基凡 徐静平 刘刚 王华 朱丽丽 
国家自然科学基金资助项目 (6 97710 2 4 );武汉市晨光青年科技计划项目
文章讨论的模型主要描述了铁电存储场效应晶体管 ( FEMFET)的 I- V特性。从理论结果可反映出几何尺寸效应和材料参数对晶体管电特性的影响。传统的阈值电压的概念己不再适用 ,由于铁电层反偏偶极子的开关作用 ,自发极化的增加对存储器...
关键词：铁电存储 场效应晶体管 FEMFET I-V特性 极化 直观原型 
铁电存储器研究进展被引量：14
《信息记录材料》2002年第1期31-35,共5页周志刚 王耘波 王华 于军 谢基凡 郭冬云 
国家自然科学基金(69771024)
铁电薄膜与半导体集成技术相结合而发展起来的铁电存储器,以其高密度、高速度、非易失性以及抗辐射性而大大优于目前任何一种半导体存储器。介绍了铁电存储器的存储原理、特点、基本存储单元、研究进展、应用及存在的问题等。
关键词：铁电存储器 研究进展 铁电薄膜 FRAM FFET 
纳米硅微结构的测量与控制
《微电子学》2001年第4期242-245,共4页刘刚 于军 谢基凡 
国家自然科学基金资助项目 ( 6980 10 0 3 )
文章应用电化学方法获得了纳米硅微粒材料。通过 TEM的分析测算 ,知其平均粒度在 2～ 5 nm之间。在暗室中 ,能见其萤光辐射。并在同一溶液中 ,采用不同电流密度和反应时间 ,制作了不同的硅微粒薄膜样品 ;利用基于分形理论和计算机图像...
关键词：纳米微粒 微结构 分形几何学 纳米硅 电化学 
新型商用化磁阻式传感器被引量：5
《传感器技术》2001年第6期1-3,7,共4页颜冲 于军 王耘波 谢基凡 高俊雄 周东祥 WANG Hua 王华 
国家自然科学基金资助项目 (6980 10 0 3 )
磁电子学 (或自旋电子学 )是把物理学和电子学结合起来的新兴学科 ,已成为当今的热点研究领域之一。利用磁电子学中的巨磁电阻 (GMR)效应 ,可制得新一类磁阻式传感器 -GMR传感器。与传统的磁阻式传感器相比 ,GMR传感器具有灵敏度高、可...
关键词：巨磁电阻 传感器 灵敏度 磁电子学 
铁电电容的物理模型研究被引量：1
《压电与声光》2001年第3期244-246,共3页朱丽丽 于军 周文利 王耘波 王华 徐静平 谢基凡 
国家自然科学基金!资助项目 ( 697710 2 4)
用一种物理方法解释了非理想铁电电容器的电路行为。在该方法中把分立的铁电电容假设为堆积状的介电层结构 ,包括铁电层和非开关介电层。通过这种方法改进了 Sawyer- Tower电路并测量了其电特性。用该模型较准确地测量了由于输入信号频...
关键词：物理模型 Sawyer-Tower回路 极化强度 铁电电容器 
Au/PZT/p-Si结构铁电存储二极管的制备及其性能
《Journal of Semiconductors》2001年第5期641-645,共5页王华 于军 董晓敏 周文利 王耘波 谢基凡 
国家自然科学基金! (批准号 :697710 2 4);湖北省自然科学基金! (批准号 :98J0 3 6)&&
采用准分子脉冲激光沉积 (PL D)工艺 ,制备了 Au/ PZT/ p- Si结构铁电存储二极管 .在氧气氛 35 0℃低温沉积、原位 5 30℃快速退火工艺条件下 ,获得了多晶纯钙钛矿结构的 Pb (Zr0 .5 2 Ti0 .48) O3(PZT)铁电薄膜 . PZT薄膜的铁电性能测...
关键词：脉冲激光沉积 铁电薄膜 铁电存储二极管 锆钛酸铅 
低温制备Pb(Zr_(0.52)Ti_(0.48))O_3铁电薄膜及其性能研究被引量：2
《功能材料》2001年第3期250-251,253,共3页王华 于军 王耘波 周文利 谢基凡 朱丽丽 
国家自然科学基金资助项目(69771024)
采用脉冲激光沉积技术（ＰＬＤ）在（１００）ｐ－Ｓｉ衬底上，低温淀积、快速退火成功地制备了具有完全钙钛矿结构的多晶ＰＺＴ铁电薄膜。所制备的ＰＺＴ铁电薄膜致密、均匀，表现出良好的介电和铁电性能．其介电常数和介电损耗１００...
关键词：PZT 铁电薄膜 PLD 制备工艺 性能 
巨磁电阻读出磁头被引量：1
《磁性材料及器件》2001年第1期23-26,共4页颜冲 于军 周文利 王耘波 谢基凡 高俊雄 
国家自然科学基金资助项目! ( 6980 1 0 0 3)
用巨磁电阻 ( GMR)材料构成的磁电子学新器件 ,已开始在计算机存储领域成功地获得了应用。本文介绍了用于计算机硬磁盘驱动器的巨磁电阻磁头 ,描述了它的工作原理。
关键词：巨磁电阻 读出磁头 存储密度 磁存储器 
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