纳米硅微结构的测量与控制  

Measurement and Control on Microstructure of Silicon Nanoparticles

作　　者：刘刚[1] 于军[1] 谢基凡[1] 

机构地区：[1]华中科技大学电子科学与技术系,湖北武汉430074

出　　处：《微电子学》2001年第4期242-245,共4页Microelectronics

基　　金：国家自然科学基金资助项目 ( 6980 10 0 3 )

摘　　要：文章应用电化学方法获得了纳米硅微粒材料。通过 TEM的分析测算 ,知其平均粒度在 2～ 5 nm之间。在暗室中 ,能见其萤光辐射。并在同一溶液中 ,采用不同电流密度和反应时间 ,制作了不同的硅微粒薄膜样品 ;利用基于分形理论和计算机图像处理技术的软件 ,对样品电镜照片的图像灰度值进行计算及数据处理 ,求得了相应样品的分形参数 ,找到了分形参数随微粒大小及密度而变化的规律。提出了获得均匀一致、粒径可控的纳米硅材料的新方法。Samples of silicon nanoparticles have been obtained by a new electrochemical method.The nanoparticles are measured to be 2～5 nm by TEM.Its fluorescence radiation can be seen in the dark room.Different samples of silicon nanoparticles are prepared in the same solution with different electric current and reaction time.Software based on fractal theory and computer image processing technology is used to find fractal parameters of various silicon nanoparticles.Regularity of the variation of fractal parameters with the size and density of nanoparticles has been discovered.Thereby, a new method is proposed for making uniform and controllable silicon nanoparticles

关 键 词：纳米微粒 微结构 分形几何学 纳米硅 电化学 

分 类 号：TN304.12[电子电信—物理电子学]