退火温度对嵌入Si中的β-FeSi_2颗粒发光的影响  

Influence of Annealing Temperature on Luminescence of β-FeSi_2 Particles Embedded in Silicon

作　　者：李成[1] 赖虹凯[1] 陈松岩[1] 

机构地区：[1]厦门大学物理系,半导体光子学研究中心,厦门361005

出　　处：《Journal of Semiconductors》2006年第1期82-85,共4页半导体学报（英文版）

基　　金：福建省青年科技人才创新(批准号:2004J021);集成光电子学国家重点实验室半导体所开放课题资助项目~~

摘　　要：研究了退火温度对分子束外延(MBE)方法生长的Si基β-FeSi2颗粒的发光性质和电学特性的影响.结果表明,在900℃下退火的样品,虽然β-FeSi2的结晶质量有所提高,但是由于晶格失配和热膨胀系数的不同,在Si中引入位错,导致样品的光致发光谱展宽和形成的二极管漏电流增大.而在800℃下退火的样品,具有较低的漏电流和较强的室温电致发光谱.The influence of annealing temperature on the luminescence and electrical properties of β-FeSie particles embedded in silicon is investigated. The experimental results indicate that annealing at 900℃ improves the particles＇ crystal quality,but dislocations are introduced in the silicon due to the thermal and lattice mismatches,which broaden the photoluminescence spectrum and enlarge the leakage current. Stronger room temperature electroluminescence is obtained from the sample annealed at 800℃.

关 键 词：Β-FESI2 光致发光 退火 

分 类 号：TN304[电子电信—物理电子学]