基于硅氧化层的嵌入式传输线制造  

Transmission Lines Embedded in Silicon Oxide Layers on Silicon Wafers

作　　者：孙龙杰[1,2] 杨波[1,2] 郭理辉[3] 

机构地区：[1]西安电子科技大学微电子研究所 [2]西安科技大学微电子研究所,西安710075 [3]西安科技大学微电子研究所

出　　处：《Journal of Semiconductors》2006年第1期168-173,共6页半导体学报（英文版）

摘　　要：在有损耗的硅衬底上试制了传输线(微带以及共面波导),并嵌入在CMOS Cu/Si O2互连层中.对传输线的几何尺寸与其特征阻抗、损耗以及衰减因子进行了研究.结果表明嵌入在硅氧化层中的微带和共面波导可以在有损耗的硅片上低损耗地实现,为在硅片上设计微波和毫米波电路提供了必要的无源器件.Transmission lines, microstrips and coplanar waveguides, are fabricated on lossy silicon substrates embedded in CMOS Cu/SiO2 interconnect layers. The impedance,loss, and slowing factor are studied in detail as they relate to the geometric size of the transmission lines. We show that microstrips and coplanar waveguides embedded in silicon oxide can be achieved with low loss on lossy silicon wafers, providing the essential passive components for designing microwave and millimc- Ire-wave circuits on silicon wafers.

关 键 词：CMOS互连技术 微带 共面波导 

分 类 号：TN405[电子电信—微电子学与固体电子学]