IGBT驱动与过电流保护技木的研究  被引量:4

Study on Drive and Overcurrent Protection of IGBT

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作  者:贾贵玺[1] 吴爱国[1] 孙波[1] 

机构地区:[1]天津大学

出  处:《电气传动》1996年第1期54-55,60,共3页Electric Drive

摘  要:本文阐述了IGBT的短路特性以及怎样实现IGBT的过流保护系统。文中着重介绍了IGBT的允许短路时间与门极驱动信号的关系。The paper discusses the characteristics of IGBT in overeurrent and how to achieve the system of overcurrent protection of IGBT. In this paper,the relation between IGBT's overcurrent tim and its gate drive voltaga is also introduced.

关 键 词:双级型晶体管 逆变器 过渡保护系统 

分 类 号:TN322.8[电子电信—物理电子学] TM464[电气工程—电器]

 

参考文献:

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