SOL-GEL法制备BA_(1-X)SR_XTIO_3薄膜的光学性质研究  

Optical Properties of Ba_(1-x)Sr_xTiO_3 Thin Films Prepared by Sol-Gel Method

作　　者：阳生红[1] 张曰理[1] 莫党[1] 

机构地区：[1]中山大学光电材料与技术国家重点实验室∥物理学系,广东广州510275

出　　处：《中山大学学报（自然科学版）》2006年第1期29-32,共4页Acta Scientiarum Naturalium Universitatis Sunyatseni

基　　金：国家自然科学基金资助项目(50372085);广东省科技计划资助项目(2004B60303001)

摘　　要：采用Sol—Gel工艺，在Si（100）衬底上制备了Ba1-xSrxTiO3（0．1≤x≤0．3）多晶薄膜，并用椭偏光谱仪在光子能量为2．0—5．2eV的范围内，测量了不同Sr含量x下Ba1-xSrxTiO3多晶薄膜的椭偏光谱。建立适当的拟合模型，用最优化法获得了所有样品的光学常数（折射率n和消光系数k）谱及能隙宽度Eg。比较这些结果发现：在低能区，Ba1-xSrxTiO3薄膜的折射率n随Sr含量x的增加无明显变化，但其吸收边向高能方向移动。表明Ba离子被Sr离子取代后，Ba1-xSrxTiO3薄膜的能隙宽度Eg增大。Ba1-xSr, TiO3 （0. 1 ≤x≤0. 3） （BST） thin films on Si Ellipsometric spectra of BST thin films with various Sr （100） substrates were prepared concentration x were measured in by Sol - Gel the range of photon energy from 2.0 to 5.2 eV. Constructing appropriate fitting models, their optical constants （ refractive index n and extinction coefficient k） spectra and band gap energy Eg are determined by means of optimization. It is found that no apparent difference is observed in the refractive indexes of three BST thin films in the lower photon energy region. The absorption edges of the samples with an increased Sr dopant shift to high photon energy, and the band gap Eg increases.

关 键 词：椭偏光谱 光学常数谱 Sol-Gel工艺 BST薄膜 

分 类 号：O484.41[理学—固体物理]