SiCl4／CH4／Ar基等离子体中AlInGaP和GaAs的RIE  

作　　者：笑生 

出　　处：《等离子体应用技术快报》1996年第2期4-5,共2页

关 键 词：离子蚀刻 等离子体 砷化镓 AlInGaP 

分 类 号：TN304.2[电子电信—物理电子学] TN305.2