Influence of Al Composition on Transport Properties of Two-Dimensional Electron Gas in Al_xGa_(1-x)N/GaN Heterostructures  

Al组分对Al_xGa_(1-x)N/GaN异质结构中二维电子气输运性质的影响(英文)

作　　者：唐宁[1] 沈波[1] 王茂俊[1] 杨志坚[1] 徐科[1] 张国义[1] 桂永胜[2] 朱博[2] 郭少令[2] 褚君浩[2] 

机构地区：[1]北京大学物理学院人工微结构和介观物理国家重点实验室,北京100871 [2]中国科学院上海技术物理研究所红外物理国家重点实验室,上海200083

出　　处：《Journal of Semiconductors》2006年第2期235-238,共4页半导体学报（英文版）

基　　金：国家重点基础研究发展规划(批准号:G20000683,G001CB3095);国家高技术研究发展计划(批准号:2002AA305304);国家自然科学基金(批准号:60444007,60136020,10374094);国家杰出青年基金(批准号:60325413);教育部博士点基金(批准号:20020284023)资助项目~~

摘　　要：Magnetotransport properties of two-dimensional electron gases （2DEG） in AlxGa1-x N/GaN heterostructures with different Al compositions are investigated by magnetotransport measurements at low temperatures and in high magnetic fields. It is found that heterostructures with a lower Al composition in the barrier have lower 2DEG concentration and higher 2DEG mobility.在低温和强磁场下,通过磁输运测量研究了不同Al组分调制掺杂Al_xGa_(1-x)N/GaN异质结二维电子气(2DEG)的磁电阻振荡现象.观察到低Al组分异质结中的2DEG有较低的浓度和较高的迁移率.

关 键 词：Alx Ga1-x N/GaN heterostructure two-dimensional electron gas transport property 

分 类 号：O471[理学—半导体物理]