High Power SiGe X-Band (8～10GHz) Heterojunction Bipolar Transistors and Amplifiers  

作　　者：Ma Zhenqiang Wang Guogong Jiang Ningyue Ponchak G E Alterovitz S A 

机构地区：[1]Department of Electrical and Computer Engineering, University of Wisconsin-Madison, Madison, WI 53706, USA [2]NASA-Glenn Research Center, Cleveland, OH 44135, USA

出　　处：《Journal of Semiconductors》2006年第2期270-275,共6页半导体学报（英文版）

基　　金：ProjectsupportedbytheNSF(No.ECS0323717)

关 键 词：晶体管 放大器 基极 发射极 掺杂 

分 类 号：TN32[电子电信—物理电子学]