基极

作品数：241被引量：136H指数：6
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生物基9-癸烯酸甲酯/乙烯共聚物的制备
《生物质化学工程》2025年第2期48-52,共5页程键 李世文 李倩 马占芳 李化毅 
生物基9-癸烯酸甲酯是生物基油酸甲酯与乙烯的交叉复分解产物,乙烯与9-癸烯酸甲酯的共聚反应可能会开辟新的生物基聚烯烃合成路线。本研究采用配位聚合的方法,成功将生物基9-癸烯酸甲酯与乙烯进行共聚,经过工艺条件探索,得到非茂后过渡...
关键词：生物基9-癸烯酸甲酯 配位聚合 非茂后过渡金属催化剂 生物基极性单体 
一款基于SiGe工艺的宽带射频驱动放大器
《现代电子技术》2025年第2期14-20,共7页张斌 蒋颖丹 权帅超 汪柏康 孙莎莎 秦战明 孙文俊 
为了降低温漂效应对放大器的影响,通过理论分析,设计了一款集成有温度补偿直流偏置网络的宽带射频驱动放大器。为了提高增益和输出功率,电路采用两级差分共射-共基极(cascode)结构,输出端口集成了一款结构新颖的差分转单端Marchand巴伦...
关键词：驱动放大器 宽带射频 SIGE工艺 温度补偿 共射-共基极(cascode)结构 Marchand巴伦 异质结双极晶体管 
基于天基极简核心网的星地协同组网架构、技术及试验被引量：1
《电信科学》2024年第6期49-59,共11页潘筱涵 陆璐 邓平科 王嘉诚 施南翔 郑韶雯 
面向未来网络泛在覆盖的愿景,卫星互联网与地面移动通信网络深度融合协同组网是构建空天地一体化通信系统,实现用户随时随地接入的必经技术道路。首先介绍了空天地一体化网络的现状和发展趋势,然后介绍了星地协同组网架构及天基极简核...
关键词：空天地一体化网络 星地协同组网 极简核心网 天基核心网 
基极触发的雪崩晶体管导通机理被引量：1
《半导体技术》2024年第5期432-441,共10页王欢 乔汉青 程骏 胡龙 李昕 王翔宇 方旭 
为研究基极触发的雪崩晶体管导通机理,建立了雪崩晶体管(n+⁃p⁃n⁃n+掺杂结构)的准三维器件模型和实验测试电路。研究了雪崩晶体管的温度分布特征,导通结束后器件最高温度约为417 K,位于电流通道内n⁃n+边界处。当集电极电压为300 V、基极...
关键词：雪崩晶体管 超宽带(UWB)脉冲 雪崩击穿 碰撞电离 物理参数模型 
一款音频放大电路的设计与分析
《现代教育与应用》2024年第5期30-31,共2页朝霞 贺方圆 肖琳 何林青 
北京联合大学应用科技学院2023年院级科研立项,项目号:YKKY02309,学科发展专项一般项目;北京市教育委员会科学研究计划项目资助,项目号:KM202211417005;北京联合大学科研项目资助(项目编号:ZK90202106)。
通过分立元件设计一款音频放大电路,针对音频输入信号特点设计电压放大倍数和功率放大。设计电路共分为三级,依据输入信号的阻抗特点,有效的利用共基极、共射级和功率放大电路的组合实现对喇叭的驱动。文中对每一部分电路输入输出阻抗...
关键词：共基极放大 共射级放大 功率放大 阻抗匹配 
一种高共模电压集成差分放大器的设计
《微电子学与计算机》2024年第2期52-57,共6页张鑫 魏海龙 尤路 陈蒙 
针对差分放大器芯片国产化的需求,基于兼容金属薄膜电阻40 V双极工艺,设计一款高共模抑制比(Common Mode Rejection Ratio,CMRR)、±120 V共模输入电压的集成差分放大器。文章介绍了高共模电压差分放大器的基本原理和结构组成,分析了差...
关键词：差分放大器 高共模抑制比 高共模输入电压 基极电流补偿结构 
YSZ基极限电流型NO_(x)传感器研究进展被引量：2
《电子元件与材料》2024年第1期1-13,共13页杨凯中 袁春 董文 傅邱云 
深圳市科技研发技术攻关重点项目(JSGG20220831095600002)。
随着汽车尾气排放标准更加严格,NO_(x)传感器作为主要排放处理技术-选择性催化还原系统(SCR)的核心部件成为当下的研究热点。YSZ作为固体电解质的极限电流型传感器在监测精度和控制成本上有着显著作用。综述了近年极限电流型氧传感器和N...
关键词：极限电流 氮氧化物 综述 气体传感器 尾气监测 
一种具有基极补偿技术的高速运算放大器
《智能计算机与应用》2023年第11期142-147,共6页李洪品 杨发顺 马奎 
贵州大学引进人才项目(贵大人基合字(2019)63号);黔科合支撑[2023]一般283。
介绍了一种基于高速互补双极型工艺设计的宽带高速运算放大器。该运放输入级采用折叠式共射-共基结构能够增大输入级带宽,改进型威尔逊电流镜作为有源负载将差分输入信号转换为单端输出信号,并提高输入级差分增益;通过基极补偿技术补偿...
关键词：运算放大器 高速 宽带 基极电流补偿 
深亚微米SOI工艺高压ESD器件防护设计被引量：1
《电子与封装》2023年第9期45-49,共5页朱琪 黄登华 陈彦杰 刘芸含 常红 
江苏省博士后科研资助计划(2019K117);江苏省青年基金(BK20200167)。
绝缘体上硅(SOI)工艺具有隔离面积小、隔离性能良好等特点,在功率半导体领域已被广泛采用。基于深亚微米SOI工艺技术节点和100V以上高压器件的特性,高压静电放电(ESD)器件稳健性弱的问题已成为ESD防护设计的技术难点之一,高压ESD防护器...
关键词：高压ESD器件 绝缘体上硅工艺 开放式基极堆叠三极管 
一种具有n型隐埋载流子存储层的BRT新结构
《固体电子学研究与进展》2023年第4期306-310,共5页张超 王彩琳 刘园园 杨武华 苏乐 
陕西省教育厅科学研究计划项目(22JK0484);陕西省科技厅自然科学基础研究计划项目(2023-JC-QN-0764);陕西省重点研发计划子课题(2021LLRH-02);西安理工大学教师博士科研启动经费项目(103-451121007)。
提出了一种具有n型隐埋载流子存储层的基极电阻控制晶闸管(BRT)新结构。利用TCAD仿真软件对其工作机理和静态特性进行了分析,并与双栅BRT进行了性能对比。结果表明,新器件导通时会产生电子注入增强效应,由绝缘栅双极晶体管模式快速转换...
关键词：基极电阻控制晶闸管(BRT) 电子注入增强效应(IE) 载流子存储(CS) 
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