电感耦合等离子体CVD室温制备的纳米Si薄膜场电子发射研究  

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作  者:贺德衍[1] 王晓强[1] 陈强[1] 栗军帅[1] 尹旻[1] A.V.Karabutov A.G.Kazanskii 

机构地区:[1]兰州大学物理系 [2]General Physics Institute,Vavilova str.38,Moscow 119991,Russia [3]Moscow State University,Vorobyevy Gori,Moscow 119992,Russia

出  处:《科学通报》2006年第3期251-254,共4页Chinese Science Bulletin

基  金:国家自然科学基金(批准号:10175030);甘肃省科技攻关项目(批准号:4WS035-A72-134)的资助.

摘  要:利用电感耦合等离子体化学气相沉积在室温下制备了Si薄膜,用拉曼谱对样品的结构进行了表征,502cm^-1附近散射峰的出现说明在样品中形成了纳米结晶相.用原子力显微镜观察样品表面形貌发现,在合适的等离子体条件下制备的样品,其表面由随机均匀排列的高密度Si锥组成,Si锥的高度为30~40nm,底面平均直径约为200nm.场电子发射测量结果显示样品具有良好的电子发射特性,开启电压为7~10V/μm.

关 键 词:ICP-CVD 纳米行Si锥 场电子发射 低温生长 

分 类 号:TB383.1[一般工业技术—材料科学与工程]

 

参考文献:

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耦合文献:

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引证文献:

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