窄禁带稀磁半导体二维电子气的拍频振荡  

Beating oscillation of two-dimensional electrons gas in narrow gap dilute magnetic semiconductor

作　　者：朱博[1] 桂永胜[2] 仇志军[2] 周文政[2] 姚炜[2] 郭少令[2] 褚君浩[2] 张福甲[1] 

机构地区：[1]兰州大学物理系,兰州730000 [2]中国科学院上海技术物理研究所红外物理国家重点实验室,上海200083

出　　处：《物理学报》2006年第2期786-790,共5页Acta Physica Sinica

基　　金：国家重点基础研究项目(批准号:2001GB309506);国家自然科学基金(批准号:60221502;10374094)资助的课题.~~

摘　　要：通过对调制掺杂的n型Hg_(0.82)Cd_(0.16)Mn_(0.02)Te/Hg_(0.3)Cd_(0.7)Te第一类量子阱中磁性二维电子气磁阻拍频振荡的研究,发现温度、栅压的变化都会引起磁阻拍频节点位置的变化.从对拍频的分析中,可以将依赖于栅压的Rashba自旋-轨道分裂和依赖于温度的巨大塞曼分裂区分开来.This paper studies the detailed beating oscillation in Shubnikov-de Hass （SdH） of magnetic two dimensional electron gas consisting of a modulation doped n type Hg0.82 Cd0.16 Mn0.02 Te/Hg0.3 Cd0.7 Te first type quantum well, by which found that temperature, gate voltage are both bring the variety of magnetic resistance beating node position. By analyzing beating patterns, gate voltage dependent Rashba spin-orbit splitting can be separated from temperature dependent giant Zeeman splitting.

关 键 词：磁性二维电子气 自旋分裂 sp-d交换相互作用 拍频 

分 类 号：O472[理学—半导体物理]