磁随机存储器中垂直电流驱动的磁性隧道结自由层的磁化翻转  

Perpendicular current-driven magnetization switching in free layer of magnetic tunneling junctions and MRAM

作　　者：彭子龙[1] 韩秀峰[1] 赵素芬[1] 魏红祥[1] 杜关祥[1] 詹文山[1] 

机构地区：[1]北京凝聚态物理国家实验室中国科学院物理研究所磁学国家重点实验室,北京100080

出　　处：《物理学报》2006年第2期860-864,共5页Acta Physica Sinica

基　　金：中国科学院知识创新工程重大课题;国家科技部973基础研究专项(批准号:2001CB610601);国家杰出青年基金(批准号:50325104);国家自然科学基金(批准号:10274103)资助的课题.~~

摘　　要：在基于磁性隧道结(Magnetic Tunneling Junction,MTJ)的磁随机存储器(Magnetoresistantive Random Access Memory,MRAM)中利用通过MTJ的垂直电流,实现信息写入的新方法,同时给出了基于此新方法的一种新的MRAM结构和驱动原理图,并分析了它的读和写操作的可行性具体过程.A new method of readout and writing process driven by perpendicular current in magnetoresistantive random access memory （MRAM） based on the magnetic tunneling junction is reported, and its schematic structure and operation are described.

关 键 词：垂直电流 磁性隧道结 磁随机存储器 

分 类 号：TP333[自动化与计算机技术—计算机系统结构]