双波段量子阱红外光电探测器焦平面列阵  

作　　者：高 

出　　处：《红外》2006年第3期20-20,共1页Infrared

摘　　要：量子阱光电探测器可以用来制作对6μm～25μm红外辐射灵敏的量子阱红外光电探测器。量子阱是通过将第一种比较薄的半导体膜层（一般为GaAs）封装在两层邻近的第二种半导体膜层（一般为AlxGa1-xAs）之间构成的。这些半导体材料之间有一个带隙，它们可以用来在半导体中制作一种能量“阱”．该阱俘获由入射辐射产生的光子，然后再产生光致激发．

关 键 词：量子阱红外光电探测器 焦平面列阵 美国专利 双波段 半导体材料 授权 红外辐射 入射辐射 光致激发 制作 

分 类 号：TN215[电子电信—物理电子学]