硅双极晶体管的h_(FE)温度相关性分析及其应用  

作　　者：翟冬青 李彦波[1] 张振岭 

机构地区：[1]河北大学电子系 [2]石家庄无线电二厂

出　　处：《半导体技术》1990年第2期49-52,共4页Semiconductor Technology

摘　　要：本文对硅双极晶体管的h_(FE)温度相关性进行了全面的分析,指出它主要受发射区重掺杂效应支配,也与载流子不同温度下的析出率及载流子迁移率和E_g随温度变化而变化有关。导出了h_(FE)相对变化率的表达式,并由此设计制造了一种低温度变化率的晶体管。

关 键 词：硅 双极 晶体管 温度 相关性 HFE 

分 类 号：TN322.8[电子电信—物理电子学]