硅PiN管的雪崩击穿的修正  

作　　者：方龙森[1] 

机构地区：[1]上海科技大学物理系

出　　处：《半导体技术》1990年第6期35-37,共3页Semiconductor Technology

摘　　要：硅PiN结构在工业产品中有多种应用,是多种二极管的基本结构。本文分析了该结构的雪崩击穿特性,推导得到一个适合于PiN结构的突变结雪崩击穿电压公式。该解析式能估算器件杂质分布为单边突变结、双边突变结和PiN结构的雪崩击穿电压,修正了以往解析式中i层宽度为零时,击穿电压为零的错误结论。该解析式对于PiN管的器件物理分析、工艺结构的优化和产品流水线的监控是有用的。

关 键 词：硅PiN管 雪崩击穿 二极管 

分 类 号：TN312.7[电子电信—物理电子学]