几种改进的分子束外延(MBE)技术  

作　　者：郭宝增[1] 

机构地区：[1]河北大学电子系

出　　处：《半导体技术》1990年第6期1-5,共5页Semiconductor Technology

摘　　要：本文介绍了最近几年来发展的几种改进的分子束外延(MBE)生长技术,包括间隔生长技术、温度开关技术、迁移增强外延(MEE)、气源分子束外延(GSMBE)等。比较详细地介绍了它们的原理,并给出了主要实验结果。

关 键 词：分子束外延 MBH 生长技术 半导体 

分 类 号：TN304.054[电子电信—物理电子学]