量子阱中δ掺杂的光谱特性  

Optical Investigation of Delta-doping in Quantum Well Structures

作　　者：徐仲英[1] 谢茂海[1] 徐强[1] 郑宝真[1] 孔梅影[1] 

机构地区：[1]中国科学院半导体研究所国家超晶格微结构实验室

出　　处：《Journal of Semiconductors》1990年第4期316-318,共3页半导体学报（英文版）

基　　金：国家科委超晶格课题重大基金;中国科学院超晶格重点基金

摘　　要：用δ掺杂的方法实现了Be受主在量子阱边界和阱中央的分布,并用光致发光实验证实了这种掺杂的实际效果。第一次用人为的实验方法证实了量子阱中杂质态密度分布的有关理论计算结果。Using delta-doping technique, the precise location of Be acceptors both in the center of quantumwell and near the interface has been obtained.The photoluminescence measurement hasbeen used to demonstrate the effect of σ-doping. We have artificially verified for the first timethe theory of the density distribution of hydrogenic impurity states in quantum well structures.

关 键 词：量子阱 掺杂 光谱特性 半导体材料 

分 类 号：TN305.3[电子电信—物理电子学]