谢茂海

作品数：3被引量：1H指数：0
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供职机构：中国科学院半导体研究所更多>>
发文主题：GAAS/GAALAS电光效应电光掺杂DLTS更多>>
发文领域：电子电信理学更多>>
发文期刊：《Journal of Semiconductors》更多>>
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GaAs/GaAlAs量子限制Stark效应及自电光双稳现象的实验研究被引量：1
《Journal of Semiconductors》1990年第9期659-663,共5页吴荣汉 段海龙 曾一平 王启明 林世鸣 孔梅影 张权生 江德生 谢茂海 
国家自然科学基金
我们研制了GaAs/GaAlAs多量子阱pin结构的SEED器件。分析了器件的光电流光谱、光电流-电压特性。对于如何实现器件光学双稳态工作的有关问题进行了讨论。
关键词：自电光效应 多量子阱器件 光双稳 
量子阱中δ掺杂的光谱特性
《Journal of Semiconductors》1990年第4期316-318,共3页徐仲英 谢茂海 徐强 郑宝真 孔梅影 
国家科委超晶格课题重大基金;中国科学院超晶格重点基金
用δ掺杂的方法实现了Be受主在量子阱边界和阱中央的分布,并用光致发光实验证实了这种掺杂的实际效果。第一次用人为的实验方法证实了量子阱中杂质态密度分布的有关理论计算结果。
关键词：量子阱 掺杂 光谱特性 半导体材料 
消除边缘区效应的“三脉冲DLTS”法及对DX-中心俘获过程的测量
《Journal of Semiconductors》1990年第1期1-6,共6页谢茂海 高季林 葛惟锟 周洁 
本文提出了一种新的方法──“三脉冲DLTS”法,用于测量深能级的热俘获截面,目的在于消除使测量产生很大误差的边缘区效应的影响,最后用这种方法,对AlGaAs:Si中DX—中心的电子热俘获截面进行了测量,结合考虑大的深能级浓度这一因素,通...
关键词：深能级 DX-中心 半导体 俘获过程 
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