GaAs/GaAlAs量子限制Stark效应及自电光双稳现象的实验研究  

Experimental Investigation on GaAs/GaAlAs Quantum Confined Stark Effect and Self Electro-optic Bistabe Effect

作　　者：吴荣汉[1] 段海龙 曾一平[1] 王启明[1] 林世鸣[1] 孔梅影[1] 张权生[1] 江德生[1] 谢茂海[1] 

机构地区：[1]中国科学院半导体研究所

出　　处：《Journal of Semiconductors》1990年第9期659-663,共5页半导体学报（英文版）

基　　金：国家自然科学基金

摘　　要：我们研制了GaAs/GaAlAs多量子阱pin结构的SEED器件。分析了器件的光电流光谱、光电流-电压特性。对于如何实现器件光学双稳态工作的有关问题进行了讨论。A GaAs/GaAlAs Self Electro-optic Effect Device (SEED) with MQW pin structure has been fabricated. The measurement and analysis of the photocurrent spectrum, photocurrent-voltage Characteristics and photocurrent bistability are given. A discussion on the realization of its bistability is also concerned.

关 键 词：自电光效应 多量子阱器件 光双稳 

分 类 号：TN36[电子电信—物理电子学]