高季林

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供职机构：中国科学院半导体研究所更多>>
发文主题：DX中心DLTSALGAAS半导体GA更多>>
发文领域：理学电子电信更多>>
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瞬态C-V方法对Al_xGa_(1-x)As中DX中心的研究
《Journal of Semiconductors》1990年第11期809-821,共13页贾英波 李名复 周洁 高季林 孔梅影 
中国自然科学基金
本文指出DX中心电容测量中边区的重要性,提出一种新的瞬态C-V方法,可以用来测量DX中心浓度、导带电子浓度和边区的空间电荷分布及导带电子浓度随温度的变化关系,并由此导出测量DX中心热电离能的方法。另外,还对DX中心正∪和负∪两种模...
关键词：ALGAAS DX中心 C-V测量 正U模型 
关于AlGaAs:Si中DX中心的新观点
《Journal of Semiconductors》1990年第2期81-87,共7页李名复 贾英波 周洁 高季林 于鑫 
国家自然科学基金
本文给出DX中心为负U中心时所满足的统计规律。指出它与大量AlGaAs:Si的Hall实验不定量符合。为此我们提出,Si可能形成二种不同的施主NU和SD。NU是产生DX能级的负U中心。SD只形成浅施主能级或电激活中心。两种中心的浓度N^(NU)和N^(SD)...
关键词：AlGaAs:Si DX中心 负U中心 半导体 
消除边缘区效应的“三脉冲DLTS”法及对DX-中心俘获过程的测量
《Journal of Semiconductors》1990年第1期1-6,共6页谢茂海 高季林 葛惟锟 周洁 
本文提出了一种新的方法──“三脉冲DLTS”法,用于测量深能级的热俘获截面,目的在于消除使测量产生很大误差的边缘区效应的影响,最后用这种方法,对AlGaAs:Si中DX—中心的电子热俘获截面进行了测量,结合考虑大的深能级浓度这一因素,通...
关键词：深能级 DX-中心 半导体 俘获过程 
Al_x Ga_(1-x)As中DX中心的研究进展
《固体电子学研究与进展》1989年第4期378-381,共4页李名复 贾英波 单伟 周洁 高季林 
国家自然科学基金资助
(一)DX中心与能带结构的关系 原来Lang等认为DX中心是AlxGa1-xAs中施主杂质与空位形成的络合物。奇怪的是它的浓度与Al的成分x有关。最近的实验彻底澄清了这个问题。因为AlxGa1-xAs能带结构随x的变化,与GaAs能带结构随压力p的变化相似,...
关键词：ALGAAS DX中心 能带 
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