C-V测量

作品数：17被引量：5H指数：2
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相关机构：吉时利仪器公司山东大学中国科学院中国人民解放军海军航空工程学院更多>>
相关期刊：《半导体杂志》《南京大学学报（自然科学版）》《微电子学》《电信科学》更多>>
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半导体C-V测量基础被引量：2
《电子质量》2009年第9期20-22,共3页Lee Stauffer 
通用测试 电容-电压（C-V）测试广泛用于测量半导体参数，尤其是MOSCAP和MOSFET结构。此外，利用C-V测量还可以对其他类型的半导体器件和工艺进行特征分析，包括蚁傲结型晶体管（BJT）、JFET、Ⅲ-Ⅴ族化合物器件、光伏电池、MEMS器件、...
关键词：半导体器件 C-V测量 Ⅲ-Ⅴ族化合物 基础 MOSFET MEMS器件 TFT显示器 通用测试 
半导体C-V测量基础
《电子与电脑》2009年第8期87-90,共4页Lee Stauffer 
通用测试 电容-电压（C-V）测试广泛用于测量半导体参数,尤其是MOSCAP和MOSFET结构。此外,利用C-V测量还可以对其他类型的半导体器件和工艺进行特征分析,包括双极结型晶体管（BJT）、JFET、Ⅲ-V族化合物器件、光伏电池、MEMS器件、有机...
关键词：半导体器件 C-V测量 基础 MOSFET MEMS器件 TFT显示器 通用测试 电容-电压 
半导体C—V测量基础——C—V测量能够提供有关器件和材料特征的大量信息被引量：2
《国外电子测量技术》2009年第3期8-11,共4页Lee Stauffer 
关键词：半导体器件 C-V测量 材料特征 信息 基础 MOSFET MEMS器件 TFT显示器 
吉时利仪器公司推出C-V测量性能更佳的4200-CVU
《电信科学》2007年第12期94-94,共1页
吉时利仪器公司宣布推出4200-CVU，为4200-SCS半导体特性分析系统新增C-V测量功能。4200-CVU能以测量模块的形式插入4200S-CS的任意可用仪器插槽中，能在10kHz～10MHz频率范围内快速、方便地测量腰和nF级电容，具有直观的点击式配置界...
关键词：吉时利仪器公司 测量性能 半导体特性分析系统 4200-SCS 测量效率 C-V测量 C-V测量 测量功能 
4200-CVU：C-V测量功能模块
《世界电子元器件》2007年第11期74-74,共1页
吉时利仪器为其4200-SCS半导体特性分析系统新增一套C-V测量功能-4200-CVU。4200-CVU能以测量模块的形式插入4200-SCS的任意可用仪器插槽中，能在10kHz到10MHz的频率范围内快速而方便地测量飞法（fF）和纳法（nF）级电容。该设备具有直...
关键词：C-V测量 功能模块 4200-SCS 半导体特性分析系统 测量功能 测量模块 频率范围 元件模型 
射频晶圆测试:半导体生产的紧急需要
《世界电子元器件》2006年第5期72-75,共4页Carl Scharrer 
主要半导体生产商最近承认,开发和生产先进IC卡迫切需要晶片级射频测量.在某种程度上,这一直是ITRS建模与仿真技术工作组所倡导的：射频紧凑型模型的参数提取更适合将射频测量降到最少.如有必要,应该从支持仿真的标准I-V和C-V测量中提...
关键词：半导体生产 射频测量 晶圆测试 C-V测量 紧急 参数提取 仿真技术 模型验证 直接提取 高频电路 
GaAs分子束外延中硅阶梯掺杂优化及C-V测量
《激光与红外》2005年第8期593-595,共3页孙永伟 张秀兰 杨国华 叶晓军 陈良惠 
以硅作为砷化镓分子束外延(MBE)生长中的n型掺杂剂,为了确定硅的掺杂浓度,在一片GaAs半绝缘衬底上生长多个GaAs处延层,每一层中进行不同浓度的Si掺杂,然后用电化学C-V的方法确定各层中的载流子浓度,一次性得到了不同Si掺杂浓度与Si炉的...
关键词：分子束外延MBE 硅掺杂 砷化镓 电化学C—V 
界面陷阱对硅纳米晶粒基MOS电容的电荷存储特性的影响
《南京大学学报（自然科学版）》2001年第5期613-618,共6页袁晓利 施毅 朱建民 顾书林 郑有炓 
江苏省自然科学基金 (BK990 49);教育部博士点基金
利用电容 电压 (C V )测量研究了界面陷阱对于硅纳米晶粒基金属 氧化物 半导体(MOS)电容结构的电荷存储特性的影响 .研究表明硅纳米晶粒的界面陷阱与SiO2 /Si衬底界面态对电荷存储有着不同的影响作用 .长时间存储模式下的电荷存储行...
关键词：硅纳米晶粒 界面陷阱 直接隧穿 C-V测量 MOS电容 电荷存储特性 二氧化硅/硅衬底界面态 
应用C-V测量研究铁电薄膜材料的电特性
《测控技术》2001年第6期64-65,共2页李岩 苏学军 刘新彦 
通过分析钛酸铋铁电薄膜材料MFS结构的C V特性曲线 ,发现经过快速退火工艺处理的钛酸铋铁电薄膜的剩余极化强度Pr 提高 ,界面上固定电荷的分布和性质发生了变化。
关键词：C-V曲线 铁电薄膜材料 C-V测量 电特性 
准静态C-V测量中的工频噪声滤除新方法
《仪器仪表学报》1997年第5期514-517,共4页李同合 陈光遂 高捷 
准静态Ｃ—Ｖ测量中的工频噪声滤除新方法＊李同合陈光遂高捷（西安交通大学微电子工程系西安７１００４９）０引言半导体界面陷阱密度Ｄｉｔ是表征Ｓｉ－ＳｉＯ２界面性质的一个重要参数，该参数对半导体器件，特别是对ＭＯＳ晶体管特...
关键词：准静态 C-V测量 半导体 ATF 界面陷阱密度 测量 
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