云南高校图书馆联盟文献共享服务平台- 孙永伟

孙永伟: 作品数：14被引量：35H指数：4; 导出分析报告; 供职机构：中国科学院半导体研究所更多>>; 发文主题：垂直腔面发射激光器晶片键合有限差分法分子束外延焦平面阵列更多>>; 发文领域：电子电信理学自动化与计算机技术更多>>; 发文期刊：《激光技术》《Journal of Semiconductors》《半导体光电》《光学学报》更多>>; 所获基金：国家高技术研究发展计划国家自然科学基金更多>>

160×128元多量子阱长波红外焦平面探测器件研制被引量：7: 《红外与激光工程》2007年第5期702-704,共3页种明苏艳梅张艳冰胡小燕马文全孙永伟陈良惠; 国家863计划资助项目(2002AA313100); 报道了新研制出的160×128元GaAs/AlGaAs多量子阱长波红外焦平面器件。使用MBE的方法在半绝缘的GaAs衬底上生长器件结构;开发了用普通光刻技术和离子束刻蚀法制备2D光栅技术,以及探测器芯片与读出电路互联技术。在77 K时测试,器件的平...; 关键词：长波红外探测器量子阱焦平面阵列

空间有序的量子点超晶格的红外吸收被引量：1: 《Journal of Semiconductors》2005年第11期2092-2096,共5页孙永伟马文全杨晓杰屈玉华侯识华江德生孙宝权陈良惠; 利用分子束外延技术,在高温下(540℃)生长了具有三维空间有序的自组织InGaAs/GaAs量子点超晶格结构,利用傅里叶变换红外光谱仪测量到了明显的垂直入射吸收峰,中心响应波长在11μm.作为对比,在低温下(480℃)生长了相同的结构,傅里叶变换...; 关键词：分子束外延量子点超晶格垂直人射子带吸收

128×160元GaAs/AlGaAs多量子阱长波红外焦平面阵列被引量：13: 《Journal of Semiconductors》2005年第10期2044-2047,共4页苏艳梅种明张艳冰胡小燕孙永伟赵伟陈良惠; 国家高技术研究发展计划资助项目(批准号:2002AA313100)~~; 研制了128×160元GaAs/AlGaAs多量子阱红外焦平面阵列,它是目前国内报道的最大像元数的量子阱红外焦平面阵列.77K时,器件的平均黑体响应率Rv=2.81×107V/W,平均峰值探测率Dλ=1.28×1010cm·W-1·Hz1/2,峰值波长λp=8.1μm,器件的盲元率...; 关键词：红外探测器量子阱焦平面阵列

台面尺寸对垂直腔面发射激光器电学特性的影响: 《半导体光电》2005年第5期378-381,共4页侯识华赵鼎孙永伟苏艳梅谭满清陈良惠; 国家高技术研究发展计划资助项目(2001AA312180); 采用求泊松方程、电流密度方程、载流子扩散方程以及有源层结压降方程自洽解的方法,计算了不同台面大小的台面结构垂直腔面发射激光器内部的电势分布和有源层中的注入电流密度、载流子浓度及结压降分布。结果表明,台面尺寸对垂直腔面发...; 关键词：垂直腔面发射激光器台面尺寸电势分布电学特性有限差分法

GaAs分子束外延中硅阶梯掺杂优化及C-V测量: 《激光与红外》2005年第8期593-595,共3页孙永伟张秀兰杨国华叶晓军陈良惠; 以硅作为砷化镓分子束外延(MBE)生长中的n型掺杂剂,为了确定硅的掺杂浓度,在一片GaAs半绝缘衬底上生长多个GaAs处延层,每一层中进行不同浓度的Si掺杂,然后用电化学C-V的方法确定各层中的载流子浓度,一次性得到了不同Si掺杂浓度与Si炉的...; 关键词：分子束外延MBE 硅掺杂砷化镓电化学C—V

半导体激光器相对强度噪声的实验研究: 《激光技术》2005年第3期241-243,共3页朱晓鹏甘巧强任刚宋国锋叶晓军孙永伟曹青陈良惠; 国家八六三计划资助项目(2002AA313060); 建立了一套半导体激光器噪声测量系统用于生产测量和科学研究,其特点是简易,且兼容性大。用该系统对相关的半导体激光器(不同腔长,镀膜与不镀膜等)进行了测量研究,着重研究了镀膜与不镀膜的条件对激光器噪声特性的影响,发现镀膜后管芯...; 关键词：半导体激光器相对强度噪声腔长镀膜

键合界面阻抗对VCSEL的电、热学特性的影响被引量：1: 《光子学报》2005年第4期503-506,共4页侯识华赵鼎叶晓军孙永伟谭满清陈良惠; 国家高技术研究发展计划资助课题(No.2001AA312180); 采用一电阻层来表征键合界面处的阻抗通过求泊松方程、电流密度方程、载流子扩散方程以及有源层结压降方程自洽解的方法,计算了VCSEL的电势分布,进而求解热传导方程,得到VCSEL的温度分布详细分析了键合界面阻抗对晶片键合结构垂直腔...; 关键词：垂直腔面发射激光器晶片键合键合界面阻抗电学特性热学特性有限差分法

垂直腔面发射激光器的热学特性被引量：7: 《Journal of Semiconductors》2005年第4期805-811,共7页侯识华赵鼎孙永伟徐云谭满清陈良惠; 国家高技术研究发展计划资助项目(批准号:2001AA312180)~~; 通过求泊松方程、电流密度方程、载流子扩散方程以及有源层结压降方程自洽解的方法,计算了垂直腔面发射激光器(VCSEL)的电势分布,进而求解热传导方程,得到VCSEL的温度分布.详细分析了注入电流密度小于或等于阈值电流密度时,晶片键合结...; 关键词：垂直腔面发射激光器晶片键合高温中心热学特性有限差分法

High-Power and High-Efficiency 650nm-Band AlGaInP Visible Laser Diodes Fabricated by Ion Beam Etching: 《Journal of Semiconductors》2004年第9期1079-1083,共5页徐云曹青孙永伟叶晓军侯识华郭良陈良惠; 国家高技术研究发展计划资助项目 (批准号 :2 0 0 2 AA3 13 0 5 0 )~~; High power and high-slope efficiency 650nm band real-refractive-index ridge w aveguide AlGaInP laser diodes with compressive strained MQW active layer are for med by pure Ar ion beam etching process.Symmetric laser me...; 关键词：AlGaInP visible lasers Ar ion beam dry etching

GaN基蓝光激光器光场特性模拟: 《Journal of Semiconductors》2004年第8期1004-1008,共5页叶晓军朱晓鹏徐云孙永伟侯识华种明陈良惠; 国家高技术研究发展计划资助项目 ( No.2 0 0 2 AA3 1116Z)~~; 采用有限差分法对 Ga N基多量子阱 (MQWs)脊形激光器进行二维光场模拟 .In Ga N和 Al Ga N材料的折射率分别由修正的 Brunner以及 Bergm ann方法得到 .分析了激光器单模特性和远场发散角同器件的脊形刻蚀深度和脊形条宽的关系 .研究了...; 关键词：二维光场模拟 GaN激光器脊形宽度刻蚀深度发散角

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