胡小燕

作品数：10被引量：45H指数：4
导出分析报告
供职机构：华北光电技术研究所更多>>
发文主题：红外探测器长波干法刻蚀焦平面阵列紫外探测器更多>>
发文领域：电子电信更多>>
发文期刊：《Journal of Semiconductors》《红外与激光工程》《激光与红外》更多>>
所获基金：国家高技术研究发展计划更多>>
-
在结果中检索

检索结果分析

署名顺序

  • 全部
  • 第一作者
结果分析中...
共 条 记 录，以下是1-10
全选清除导出
参考文献引证文献引用追踪
视图：
排序：
量子阱红外探测器衬底完全去除技术研究
《激光与红外》2014年第11期1213-1215,共3页孙海燕 刘海龙 胡小燕 谢珩 
背面减薄技术对于提高量子阱红外焦平面探测器的性能有着重要的意义,通过衬底减薄能够缓解探测器芯片与读出电路的热膨胀失配,提高互连混成芯片可靠性,同时能够有效降低串扰。本文结合机械研磨、化学机械抛光和选择性湿法腐蚀技术,实现...
关键词：GAAS 量子阱红外探测器 选择性腐蚀 衬底去除 
AlGaN紫外探测器读出电路研究
《激光与红外》2013年第9期1059-1063,共5页吉晶晶 刘万金 胡小燕 
设计了一款AlGaN 320×256规模紫外探测器专用读出电路。该款读出电路属于数模混合电路,其中模拟信号处理电路包含积分放大电路、采样保持电路、缓冲器及输出驱动电路,数字逻辑控制电路实现了多种用户可配置的功能。给出了理论分析和电...
关键词：ALGAN 紫外探测器 读出电路 ROIC CTIA 
GaN基紫外探测器发展概况被引量：12
《激光与红外》2012年第11期1210-1214,共5页刘万金 胡小燕 喻松林 
基于宽禁带半导体材料的GaN基紫外探测器由于具有探测波长可调、工艺兼容性好、结构可多型化等优点,已成为近年来的研究热点。介绍了四种不同结构类型的紫外探测器:光导型、肖特基势垒、金属-半导体-金属、p-i-n结,并回顾了GaN基紫外探...
关键词：GAN 紫外探测器 光电二极管 
128×128三电极中/长波双色量子阱红外探测器被引量：3
《红外与激光工程》2012年第9期2249-2252,共4页苏艳梅 种明 曾一平 胡小燕 于艳 孙捷 张晓燕 
量子阱红外探测器(QWIP)阵列具有重要的实用意义。国外的研究已经相当成熟,但是在国内,量子阱红外探测器阵列的研究水平还较低,尤其是对于双色量子阱红外探测器阵列的研究更是刚刚起步。文中使用GaAs/AlGaAs、InGaAs/AlGaAs应变量子阱...
关键词：红外探测器 量子阱 双色 
长波640×512元GaAs/AlGaAs量子阱红外焦平面探测器的研制被引量：3
《激光与红外》2010年第11期1220-1223,共4页胡小燕 周立庆 于艳 杜鹏 谭振 王南 孙海燕 
量子阱红外探测器由于具有更高的材料均匀性和成品率,是红外探测技术研究的重点方向之一。本文通过突破材料外延、器件制备工艺、读出电路设计以及倒装互连等关键工艺技术,研制了长波640×512元GaAs/A lGaAs量子阱红外焦平面探测器。77 ...
关键词：量子阱 焦平面 长波 
碲镉汞器件接触孔的ICP刻蚀工艺研究被引量：6
《激光与红外》2008年第12期1211-1214,共4页李震 胡小燕 史春伟 朱西安 
介绍了ICP等离子体刻蚀技术的工作原理和主要工艺参数,阐述了碲镉汞器件接触孔ICP刻蚀工艺的特点和技术要求。通过一系列实验和分析,最终优化并确定了ICP刻蚀碲镉汞材料接触孔的工艺参数,获得了良好的刻蚀形貌和器件性能。
关键词：ICP 接触孔 干法刻蚀 碲镉汞 低损伤 刻蚀形貌 
双色量子阱红外探测器大面阵芯片的研制被引量：3
《红外与激光工程》2007年第6期782-784,共3页种明 马文全 苏艳梅 张艳冰 胡小燕 陈良惠 
国家863计划资助项目(2002AA313100)
采用GaAs/AlGaAs和InGaAs/AlGaAs多量子阱,研制出了双色同像素读取结构的中波/长波量子阱红外探测器及160×128元中波/长波双色多量子阱红外探测器芯片。器件的材料结构生长是采用分子束外延技术,在5.08 cm半绝缘GaAs衬底上完成的。发...
关键词：红外探测器 量子阱 双色 大面阵 
160×128元多量子阱长波红外焦平面探测器件研制被引量：7
《红外与激光工程》2007年第5期702-704,共3页种明 苏艳梅 张艳冰 胡小燕 马文全 孙永伟 陈良惠 
国家863计划资助项目(2002AA313100)
报道了新研制出的160×128元GaAs/AlGaAs多量子阱长波红外焦平面器件。使用MBE的方法在半绝缘的GaAs衬底上生长器件结构;开发了用普通光刻技术和离子束刻蚀法制备2D光栅技术,以及探测器芯片与读出电路互联技术。在77 K时测试,器件的平...
关键词：长波红外探测器 量子阱 焦平面阵列 
HgCdTe微台面红外焦平面技术研究
《激光与红外》2005年第11期826-828,共3页朱西安 孙浩 王成刚 胡小燕 刘明 
文章报导了采用液相外延(LPE)生长P型材料、B离子注入成结、全干法深台面刻蚀、深台面侧向钝化及电极引出技术制备出中波320×256HgCdTe微台面阵列结构,其相元中心距为30μm,截止波长为5.0μm。
关键词：HGCDTE 微台面结构 干法刻蚀 侧向钝化 
128×160元GaAs/AlGaAs多量子阱长波红外焦平面阵列被引量：13
《Journal of Semiconductors》2005年第10期2044-2047,共4页苏艳梅 种明 张艳冰 胡小燕 孙永伟 赵伟 陈良惠 
国家高技术研究发展计划资助项目(批准号:2002AA313100)~~
研制了128×160元GaAs/AlGaAs多量子阱红外焦平面阵列,它是目前国内报道的最大像元数的量子阱红外焦平面阵列.77K时,器件的平均黑体响应率Rv=2.81×107V/W,平均峰值探测率Dλ=1.28×1010cm·W-1·Hz1/2,峰值波长λp=8.1μm,器件的盲元率...
关键词：红外探测器 量子阱 焦平面阵列 
全选清除导出
共1页<1>
检索报告 对象比较 聚类工具 使用帮助 返回顶部