碲镉汞器件接触孔的ICP刻蚀工艺研究  

A Study of MCT Contact Hole Etching by ICP Process

作　　者：李震[1] 胡小燕[1] 史春伟[1] 朱西安[1] 

机构地区：[1]华北光电技术研究所,北京100015

出　　处：《激光与红外》2008年第12期1211-1214,共4页Laser & Infrared

摘　　要：介绍了ICP等离子体刻蚀技术的工作原理和主要工艺参数,阐述了碲镉汞器件接触孔ICP刻蚀工艺的特点和技术要求。通过一系列实验和分析,最终优化并确定了ICP刻蚀碲镉汞材料接触孔的工艺参数,获得了良好的刻蚀形貌和器件性能。This paper gives a brief introduction to the ICP etching process ＆ equipment. All the parameters which influence the etching profile of contact hole are detailedly discussed. The final etching parameters are given after a series of experiments.

关 键 词：ICP 接触孔 干法刻蚀 碲镉汞 低损伤 刻蚀形貌 

分 类 号：TN305.92[电子电信—物理电子学]