史春伟

作品数：2被引量：14H指数：2
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中波碲镉汞p-on-n高温工作技术研究被引量：8
《激光与红外》2020年第4期435-438,共4页陈慧卿 史春伟 胡尚正 孙海燕 王成刚 孙浩 
针对碲镉汞中波p-on-n技术进行研究,采用二次离子质谱仪分析注入后及退火后As离子在碲镉汞材料中的浓度分布,使用透射电镜表征激活退火后离子注入损伤修复状态,通过半导体参数测试仪评价pn结的IV特性,将探测器芯片装在变温杜瓦中测试其...
关键词：碲镉汞 p-on-n As注入 高温工作 
碲镉汞器件接触孔的ICP刻蚀工艺研究被引量：6
《激光与红外》2008年第12期1211-1214,共4页李震 胡小燕 史春伟 朱西安 
介绍了ICP等离子体刻蚀技术的工作原理和主要工艺参数,阐述了碲镉汞器件接触孔ICP刻蚀工艺的特点和技术要求。通过一系列实验和分析,最终优化并确定了ICP刻蚀碲镉汞材料接触孔的工艺参数,获得了良好的刻蚀形貌和器件性能。
关键词：ICP 接触孔 干法刻蚀 碲镉汞 低损伤 刻蚀形貌 
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