HgCdTe微台面红外焦平面技术研究  

Study of HgCdTe Micro-mesa Infrared Focal Plane Arrays

作　　者：朱西安[1] 孙浩[1] 王成刚[1] 胡小燕[1] 刘明[1] 

机构地区：[1]华北光电技术研究所

出　　处：《激光与红外》2005年第11期826-828,共3页Laser & Infrared

摘　　要：文章报导了采用液相外延(LPE)生长P型材料、B离子注入成结、全干法深台面刻蚀、深台面侧向钝化及电极引出技术制备出中波320×256HgCdTe微台面阵列结构,其相元中心距为30μm,截止波长为5.0μm。A new MWIR 320 × 256 HgCdTe micro-mesa device fabricated by LPE P-type HgCdTe film growth, B ion implantation, deep mesa dry-etching, side-wall passivation and metallization technologies axe reported. The pixel pitch is only 30μm ,and the cut-off wavelength is 5.0μm.

关 键 词：HGCDTE 微台面结构 干法刻蚀 侧向钝化 

分 类 号：TN205[电子电信—物理电子学] TN305