准静态C-V测量中的工频噪声滤除新方法  

作　　者：李同合[1] 陈光遂[1] 高捷 

机构地区：[1]西安交通大学微电子工程系

出　　处：《仪器仪表学报》1997年第5期514-517,共4页Chinese Journal of Scientific Instrument

摘　　要：准静态Ｃ—Ｖ测量中的工频噪声滤除新方法＊李同合陈光遂高捷（西安交通大学微电子工程系西安７１００４９）０引言半导体界面陷阱密度Ｄｉｔ是表征Ｓｉ－ＳｉＯ２界面性质的一个重要参数，该参数对半导体器件，特别是对ＭＯＳ晶体管特性及稳定性有着重要影响。精确地测量...

关 键 词：准静态 C-V测量 半导体 ATF 界面陷阱密度 测量 

分 类 号：TN307[电子电信—物理电子学]