应用C-V测量研究铁电薄膜材料的电特性  

Study of Electrical Character of Bi_4Ti_3O_(12) Film with C-V Measurement

作　　者：李岩[1] 苏学军[2] 刘新彦[3] 

机构地区：[1]海军航空工程学院电工教研室,山东烟台264001 [2]海军航空工程学院理化教研室,山东烟台264001 [3]河北工业职业技术学院基础部,河北石家庄050091

出　　处：《测控技术》2001年第6期64-65,共2页Measurement & Control Technology

摘　　要：通过分析钛酸铋铁电薄膜材料MFS结构的C V特性曲线 ,发现经过快速退火工艺处理的钛酸铋铁电薄膜的剩余极化强度Pr 提高 ,界面上固定电荷的分布和性质发生了变化。After RTA(rapid thermal annealing) processes,the remnant polarization of Bi 4Ti 3O 12 thin film P r increases at the room temperature with analyzing C V curve of the MFS structure.RTA processes is useful to both advancing polarization of Bi 4Ti 3O 12 thin film and changing electric strucure of interface.

关 键 词：C-V曲线 铁电薄膜材料 C-V测量 电特性 

分 类 号：TM22[一般工业技术—材料科学与工程]