半导体C-V测量基础  

作　　者：Lee Stauffer 

机构地区：[1]吉时利仪器公司

出　　处：《电子质量》2009年第9期20-22,共3页Electronics Quality

摘　　要：通用测试 电容-电压（C-V）测试广泛用于测量半导体参数，尤其是MOSCAP和MOSFET结构。此外，利用C-V测量还可以对其他类型的半导体器件和工艺进行特征分析，包括蚁傲结型晶体管（BJT）、JFET、Ⅲ-Ⅴ族化合物器件、光伏电池、MEMS器件、有机TFT显示器、光电二极管、碳纳米管（CNT）和多种其他半导体器件。

关 键 词：半导体器件 C-V测量 Ⅲ-Ⅴ族化合物 基础 MOSFET MEMS器件 TFT显示器 通用测试 

分 类 号：TN307[电子电信—物理电子学]