半导体C-V测量基础  

作　　者：Lee Stauffer 

机构地区：[1]吉时利仪器公司

出　　处：《电子与电脑》2009年第8期87-90,共4页Compotech

摘　　要：通用测试 电容-电压（C-V）测试广泛用于测量半导体参数,尤其是MOSCAP和MOSFET结构。此外,利用C-V测量还可以对其他类型的半导体器件和工艺进行特征分析,包括双极结型晶体管（BJT）、JFET、Ⅲ-V族化合物器件、光伏电池、MEMS器件、有机TFT显示器、光电二极管、碳纳米管（CNT）和多种其他半导体器件。

关 键 词：半导体器件 C-V测量 基础 MOSFET MEMS器件 TFT显示器 通用测试 电容-电压 

分 类 号：TN303[电子电信—物理电子学] TN307