袁晓利

作品数：6被引量：8H指数：2
导出分析报告
供职机构：南京大学更多>>
发文主题：MOSFET硅硅量子点沟道噪声更多>>
发文领域：理学电子电信一般工业技术自动化与计算机技术更多>>
发文期刊：《南京大学学报（自然科学版）》《物理学报》《电子学报》《固体电子学研究与进展》更多>>
所获基金：国家自然科学基金江苏省自然科学基金国家教育部博士点基金更多>>
-
在结果中检索

检索结果分析

署名顺序

  • 全部
  • 第一作者
结果分析中...
共 条 记 录，以下是1-6
全选清除导出
参考文献引证文献引用追踪
视图：
排序：
界面陷阱对硅纳米晶粒基MOS电容的电荷存储特性的影响
《南京大学学报（自然科学版）》2001年第5期613-618,共6页袁晓利 施毅 朱建民 顾书林 郑有炓 
江苏省自然科学基金 (BK990 49);教育部博士点基金
利用电容 电压 (C V )测量研究了界面陷阱对于硅纳米晶粒基金属 氧化物 半导体(MOS)电容结构的电荷存储特性的影响 .研究表明硅纳米晶粒的界面陷阱与SiO2 /Si衬底界面态对电荷存储有着不同的影响作用 .长时间存储模式下的电荷存储行...
关键词：硅纳米晶粒 界面陷阱 直接隧穿 C-V测量 MOS电容 电荷存储特性 二氧化硅/硅衬底界面态 
脉冲中子辐照在硅中引起缺陷的研究
《固体电子学研究与进展》2001年第3期350-353,共4页袁晓利 吴凤美 施毅 郑有炓 
研究了脉冲中子辐照的中子嬗变掺杂 (NTD)硅二极管中缺陷的形成及其退火特征 ,并与热中子辐照样品进行了比较。深能级瞬态谱仪 (DL TS)测量表明硅中主要存在五类电活性缺陷 :氧空位 E1(Ec- 0 .19e V) ,不同荷电态的双空位 E2 (Ec- 0 .2 ...
关键词：脉冲中子辐射 深能级瞬态谱 缺陷 硅 
MOSFET中大幅度随机电报信号噪声的动力学特性
《固体电子学研究与进展》2001年第1期14-20,共7页卜惠明 施毅 袁晓利 顾书林 吴军 杨红官 郑有炓 
国家自然科学基金资助项目(19974033)
对 MOSFET器件的随机电报信号噪声 ( RTS)的特征进行了研究。室温下在极细沟道样品中观测到了大幅度 (大于 60 % )的 RTS,通过测量 RTS的俘获时间和发射时间与栅压和温度的依赖关系 ,获得了氧化层陷阱的位置与能级 ,证实了氧化层陷阱的...
关键词：噪声 随机电报信号 金属氧化物半导体场效应管 MOSFET 动力学特性 
硅纳米晶粒基MOSFET存储器的荷电特征研究被引量：2
《电子学报》2001年第2期145-147,共3页施毅 袁晓利 吴军 杨红官 顾书林 韩平 郑有炓 
国家自然科学基金! (No .6970 60 0 4 );江苏省自然科学基金! (No.BK990 4 9)
本文研究了硅纳米晶粒MOSFET存储器的荷电特征 .器件阈值电压偏移达 1 8V以上 ,并随着沟道宽度的变窄而增加 ,而与沟道长度基本无关 .同时 ,阈值涨落也随宽度的变窄而增大 .在 2 0～ 30 0K测量温度范围内 ,器件阈值偏移和电荷的存储特...
关键词：硅纳米晶粒 存储器 MOSFET 荷电特征 
硅量子点中电子的荷电动力学特征被引量：4
《物理学报》2000年第10期2037-2040,共4页袁晓利 施毅 杨红官 卜惠明 吴军 赵波 张荣 郑有炓 
国家自然科学基金!(批准号 :197740 3 3 ;6970 60 0 4);江苏省自然科学基金资助的课题&&
利用频率依赖电容谱的测量 ,对于SiO2 /硅量子点 /SiO2 /硅衬底隧穿电容中硅量子点的荷电特征进行了研究 .由于量子点的极小尺寸和良好的均匀性 ,室温下在强反型区成功地观察到了与单电子隧穿相关的两个电容和电导共振峰 ,它们分别对应...
关键词：量子点 半导体 硅 电子 荷电动力学特征 
极细沟道NMOSFET中的大幅度随机电报信号噪声被引量：2
《Journal of Semiconductors》2000年第5期465-468,共4页卜惠明 施毅 顾书林 袁晓利 吴军 韩平 张荣 郑有炓 
国家自然科学基金资助课题!( 1 9974 0 3 3 )
研究了极细沟道 NMOSFET器件的随机电报信号噪声 ( RTS)的特征 .首次在室温下观测到了大幅度 (大于 60 % )的 RTS,发现当器件工作在弱反型区时 ,RTS幅度基本与温度和栅压无关 .对 RTS的动力学机制的分析及数值模拟表明 ,载流子数涨落与...
关键词：噪声 随机电报信号 NMOSFET 极细沟道 
全选清除导出
共1页<1>
检索报告 对象比较 聚类工具 使用帮助 返回顶部