硅量子点中电子的荷电动力学特征  

CHARGING DYNAMICS OF Si-QUANTUM DOTS IN TUNNEL CAPACITOR

作　　者：袁晓利[1] 施毅[1] 杨红官[1] 卜惠明[1] 吴军[1] 赵波[1] 张荣[1] 郑有炓[1] 

机构地区：[1]南京大学物理系,固体微结构国家重点实验室,南京210093

出　　处：《物理学报》2000年第10期2037-2040,共4页Acta Physica Sinica

基　　金：国家自然科学基金!(批准号 :197740 3 3 ;6970 60 0 4);江苏省自然科学基金资助的课题&&

摘　　要：利用频率依赖电容谱的测量 ,对于SiO2 /硅量子点 /SiO2 /硅衬底隧穿电容中硅量子点的荷电特征进行了研究 .由于量子点的极小尺寸和良好的均匀性 ,室温下在强反型区成功地观察到了与单电子隧穿相关的两个电容和电导共振峰 ,它们分别对应于硅衬底导带上的电子与量子点中第一与第二个基态之间直接隧穿过程 .实验数据分析给出了量子点中的库仑荷电能 ,并进行了讨论 .Using frequency\|dependent capacitance spectroscopy, we investigate the charging dynamics of silicon quantum dots embedded in oxide matrix through a SiO\-2/Si\|quantum dots/SiO\-2/Si\|substrate tunnel capacitor. Two resonance peaks both for capacitance and conductance in the inversion region are observed at room temperature, being attributed to the direct tunneling between the conductance band of Si\|substrate and the one\|and two\|electron ground\|state level of the Si quantum dot. The Coulomb charging energy of the dots is extracted from the experimental results.

关 键 词：量子点 半导体 硅 电子 荷电动力学特征 

分 类 号：O413[理学—理论物理]