关于AlGaAs:Si中DX中心的新观点  

A New Possible Interpretation about DX Center in AlGa As:Si

作　　者：李名复 贾英波 周洁[2] 高季林[2] 于鑫 

机构地区：[1]中国科学院研究生院 [2]中国科学院半导体研究所 [3]美国加州大学柏克莱分校物理系和劳仑斯国家实验室

出　　处：《Journal of Semiconductors》1990年第2期81-87,共7页半导体学报（英文版）

基　　金：国家自然科学基金

摘　　要：本文给出DX中心为负U中心时所满足的统计规律。指出它与大量AlGaAs:Si的Hall实验不定量符合。为此我们提出,Si可能形成二种不同的施主NU和SD。NU是产生DX能级的负U中心。SD只形成浅施主能级或电激活中心。两种中心的浓度N^(NU)和N^(SD)可以比拟。且N^(SD)/N^(NU)随Si浓度增加而增加。SD中心作为一种电子源,向NU输送电子,放宽了费米能级钉扎于DX能级的条件,从而与Hall实验相符。并用此观点重新解释了过去的种种实验。We have derived the statistics of electron distribution on DX center under different cases.The results are not consistent with the existing Hall experiments of Si doped AlGaAs reportedfrom different laboratories.We propose a possible explanation that there exists two differentkinds of donors SD and DX with comparable concentrations N_(SD) and N_(DX),N_(SD)/N_(DX) is increasedwith increasing N_(Si),SD is the shallow donor and DX is the negative U center bindingtwo electrons.The SD centers provide electrons and the electrons are captured by DXcenters.Therefore,the Fermi energy no longer pins to the DX energy level. Many experiments.are re-explained in this point of view.

关 键 词：AlGaAs:Si DX中心 负U中心 半导体 

分 类 号：TN301[电子电信—物理电子学]