InGaAsP相位调制器的研究  

Study on lnGaAsP Phase Modulator

作　　者：邬祥生[1] 李允平[1] 吴学海[1] 吕章德[1] 龚连根 周萍[1] 吴长川 

机构地区：[1]中国科学院上海冶金研究所

出　　处：《Journal of Semiconductors》1990年第4期258-261,共4页半导体学报（英文版）

基　　金：国家高技术计划;国家自然科学基金

摘　　要：本文报道了InGaAsP/InP脊形相位调制器的初步研究结果。采用水平液相外延,常规器件工艺和湿法化学腐蚀方法,制得了波导宽度4—8μm,反向击穿电压3—5V的相位调制器。用Mach—Zehnder干涉光路,和1.52μum激光源对器件进行测量,得到迄今最高的相位移效率—TE和TM模分别为60°/V·mm和43°/V·mm。A ridge optical waveguide InGaAsP/InP phase modulator is reported. The devices with aridge width of 4-8μm were fabricated by liquid phase epitaxy, wet chemical etching and otherconventional techniques.The largest phase shifting efficiency of 60°/V·mm and 43°/V·mm forTE and TM mode, respectively, ever reported for a reverse biased structure was observed at1.52μm wavelength.

关 键 词：半导体材料 相位调制器 INGAASP 

分 类 号：TN761.3[电子电信—电路与系统]