氩离子在反应离子腐蚀Ⅲ-Ⅴ族材料中的作用  

Behaviour of Ar^+ Ion in Reactive Ion Etching of Ⅲ-Ⅴ Compound

作　　者：李建中[1] 

机构地区：[1]中国科学院半导体研究所

出　　处：《Journal of Semiconductors》1990年第12期937-941,共5页半导体学报（英文版）

摘　　要：本文以一些实例和所得到的结果来说明Ar^+离子在抑制晶向腐蚀作用、调节钝化阻挡层,以及清除微粒淀积物等方面的作用。Experiments and results are shown in this paper to illustrate the role of Ar^+ ion inrestraining of orientation etching, adjusting of inhioition layer growing and clearing of micro-depositionon etching surfaces.

关 键 词：Ⅲ-Ⅴ族材料 离子刻蚀 氩离子 

分 类 号：TN304.23[电子电信—物理电子学]