NEC采用浸入式光刻开发出55nm工艺,预计2007年量产  

出　　处：《微纳电子技术》2006年第3期159-159,共1页Micronanoelectronic Technology

摘　　要：NEC电子公司开发出名为UX7LS的55nm节点工艺，采用了浸入式光刻和高k材料。该工艺可提供比65nm工艺在操作和待机模式下低十分之一的功耗。UX7LS是对65nm工艺的改进版本。通过将65nm工艺技术与高k薄膜结合，开发出了极限低功率LSI，该工艺将适于手机、移动消费类产品以及网络系统的LSI产品。

关 键 词：65nm工艺 NEC电子公司 浸入式 开发 光刻 预计 高K材料 待机模式 工艺技术 网络系统 

分 类 号：TN305.7[电子电信—物理电子学] TP332[自动化与计算机技术—计算机系统结构]