生产IGBT的一种工艺──三重扩散  

A Technology for Making IGBT-Triple-diffusion

作　　者：李如春[1] 陈去非[1] 陈启秀[1] 

机构地区：[1]浙江大学功率器件研究所

出　　处：《固体电子学研究与进展》1996年第1期75-79,共5页Research & Progress of SSE

摘　　要：根据目前国内半导体工艺水平的现状，提出了一种制作ＩＧＢＴ的工艺方法──三重扩散法，并着重用器件模拟的方法，从理论上分析和证实了三重扩散法在高压ＩＧＢＴ器件制作上的优点和可行性，并用实验结果验证其正确性。According to the state of the semiconductor technology in our country,this paper proposes a new technology-triple diffusion,which is used to make IGBT.By device modeling,this paper mainly analyzes triple-diffused IGBT.The new technology is feasible and superior in making the high-voltage IGBT.It has been proved by experiment.

关 键 词：IGBT 三重扩散 器件模拟 绝缘栅 双极晶体管 

分 类 号：TN305.4[电子电信—物理电子学] TN322.8