BSIM Model Research and Recent Progress  

BSIM模型的研究和最近进展(英文)

作　　者：何进[1] 陈文新[2] 奚雪梅[3] 宛辉[3] 品书[1] 阿里.力克纪达 胡正明[3] 

机构地区：[1]北京大学微电子学研究院,北京100871 [2]香港科技大学电子和电气工程系 [3]美国Berkeley加州大学电气和计算机科学工程系

出　　处：《Journal of Semiconductors》2006年第3期388-396,共9页半导体学报（英文版）

基　　金：SRC基金(批准号:2002 -NJ-1001,2003 -NJ-1134);香港RGC基金(批准号:HKUST6111/03E)资助项目~~

摘　　要：The continued development of CMOS technology and the emergence of new applications demand continued improvement and enhancement of compact models. This paper outlines the recent work of the BSIM project at the University of California, Berkeley,including BSIM5 research, BSIM4 enhancements, and BSIMSOI development. BSIM5 addresses the needs of nano-CMOS technology and RF high-speed CMOS circuit simulation. BSIM4 is a mature industrial standard MOSFET model with several improvements to meet the technology requirements. BSIMSOI is developed into a generic model framework for PD and FD SOI technology. An operation mode choice,via the calculation of the body potential △Vbi and body current/charge,helps circuit designers in the trend of the coexistence of PD and FD devices.CMOS集成电路技术的进一步发展和不断出现的新技术应用要求我们持续地改进和增强VLSI电路设计和模拟的集约模型.基于此,美国Berkeley加州大学的BSI M团队对国际工业标准芯片仿真物理模型BSI M进行了一系列的研究和发展工作.本文分析和介绍了最近几年来本人参与其中的BSI M工程的研究和进展情况,包括BSI M5的研究, BSI M4的增强和BSI MSOI的发展. BSI M5是为满足RF和高速CMOS电路模拟要求而发展的新一代物理基础的BSI M模型,具有对称、连续和参数少的特点.BSI M4是一个成熟的工业标准仿真模型,在衬底电阻网络、隧穿电流、饱和电流原理和应力模型等方面有一系列的功能增强以支持技术进步的需求. BSI MSOI已经发展成可应用于SOI -PD和SOI -FD技术的普适模型,通过有效体电势ΔVbi的改变进行器件工作模式的选择,可以帮助电路设计者实现PD和FD共存的设计趋势.

关 键 词：compact modeling BSIM5 BSIM4 BSIMSOI device physics MOSFETS 

分 类 号：TN432[电子电信—微电子学与固体电子学]