P型双质掺杂技术在快速晶闸管生产中的应用  

作　　者：刘秀喜[1] 薛成山[1] 孙瑛[1] 王显明[1] 赵玉仁 陈刚[1] 刘瑞兰[1] 

机构地区：[1]山东济宁硅元件厂,山东师范大学半导体所

出　　处：《半导体技术》1996年第5期28-31,共4页Semiconductor Technology

摘　　要：高压快速晶闸管的Ｐ型双质掺杂新技术研究成功，经工艺论证和试用，该项成果具有可行性、先进性和实用性，为研究和制造快速晶闸管开辟了一条新工艺途径。本文阐述了工艺设计原理、掺杂机制、杂质浓度分布和试用结果。

关 键 词：快速晶闸管 P型 双质掺杂 杂质 浓度分布 

分 类 号：TN342[电子电信—物理电子学] TN305.3