纳米厚度牺牲层腐蚀速率研究  

Study of Etching Rate with Sacrificial Layer’s Thickness in Nanometer

作　　者：吴昌聚[1] 马慧莲[1] 金仲和[1] 王跃林[1] 

机构地区：[1]浙江大学信息与电子工程系,杭州310027

出　　处：《传感技术学报》2006年第2期277-280,共4页Chinese Journal of Sensors and Actuators

基　　金：国家自然科学基金项目资助(60476033);国家高技术研究发展计划863项目资助(2003AA404012;2005AA404240)

摘　　要：通过大量的实验研究,建立了一套纳米量级牺牲层腐蚀行为的实验研究方法。对牺牲层厚度对腐蚀速率的影响进行了详细地研究,并得到了如下结论当牺牲层厚度达到微米量级时,其腐蚀速率随着牺牲层厚度的增大而加快,但当其达到纳米量级时,由于固体表面存在的静电荷而产生双电层效应,这种效应对腐蚀速率的影响超过了牺牲层厚度的影响,最终使得腐蚀速率和牺牲层厚度无关。A method to study the sacrificial layer etching in nanometer is proposed after lots of experiments. The effects of thickness of sacrificial layer on the etching rate are studied. The results show that when the thickness of sacrificial layer is in micrometer, the etching rate increases with the thickness. But in nanometer, this effect is neglectable. And the effect of electric double layer （EDL）, which is caused by the electrostatic surface charges in solid surface and ions in liquid, plays an important role instead.

关 键 词：纳米厚度 牺牲层腐蚀 EDL效应 腐蚀速率 

分 类 号：TN405[电子电信—微电子学与固体电子学]