聚合物薄膜场效应晶体管研究进展  被引量:1

The Research Progress in Polymer Thin-film Field-effect Transistors

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作  者:刘玉荣[1] 李渊文[1] 刘汉华[1] 

机构地区:[1]华南理工大学

出  处:《现代显示》2006年第5期53-58,共6页Advanced Display

基  金:国家863子项目(324-B2040311);校级研究项目(B14-Y13003)资助.

摘  要:有机薄膜场效应晶体管(OFET)在电子报纸、智能识别卡、大面积平板显示及柔性显示、传感器、数字逻辑电路等方面具有非常广阔的应用前景。在OFET家族中,聚合物半导体膜因具有机械性能好、热稳定性高、成膜方法简单经济以及特别适合于制备大面积器件等特点,而使聚合物薄膜场效应晶体管(PFET)近几年来倍受关注。本文概述PFET的基本结构和工作原理、器件设计和制备以及相关的研究进展,最后讨论PFET器件未来的研究方向。Organic thin film field-effect transistors (OFETs) have great potential for a wide variety of applications, such as electronic paper, smart identification cards, large-area flat-panel and flexible displays, sensors, and digital logic circuits. Recently, polymer thin film field-effect transistors (PFETs) have extensively been attended as their better mechanical properties and thermal stability, simple fabrication processes, and large-area. In this article, we describe the basic device structure and operating principle, device design and fabrication, and the related research progress. Finally, The study trends in the field are discussed.

关 键 词:聚合物 场效应晶体管 有机薄膜场效应晶体管 薄膜晶体管 

分 类 号:TN321.5[电子电信—物理电子学]

 

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