掺锰硅基磁性半导体薄膜材料及制法  

出　　处：《磁性材料及器件》2006年第2期54-54,共1页Journal of Magnetic Materials and Devices

摘　　要：掺锰硅基磁性半导体薄膜材料，锰在硅中的含量为1-10mol％。其厚度为1～10000nm。掺锰硅基磁性半导体薄膜材料的制法包括以下步骤：采用硅薄膜材料真空锰溅射的方法，制成含锰量为1～10％、厚度为1～10μm的硅薄膜，然后在温度为900～1400℃的范围内、保护性气氛条件下将硅材料结晶化，时间为20min～2h，得到具有半导体性能要求的硅材料。掺锰硅材料表现出了铁磁性且具有高于400K的铁磁转变温度；同时，其电传输特性也呈半导体特性。

关 键 词：半导体薄膜材料 铁磁性 硅基 掺锰 制法 磁转变温度 半导体性能 半导体特性 电传输特性 气氛条件 

分 类 号：TN304.055[电子电信—物理电子学] O482.523[理学—固体物理]