用分割靶法制备Y_（1－x）Ho_xBa_2Cu_3O_（7－δ）超导薄膜  

作　　者：彭正顺[1] 杨秉川[1] 王小平[1] 石东奇[1] 华志强[1] 赵忠贤[1] 

机构地区：[1]北京有色金属研究总院,中国科学院物理研究所

出　　处：《稀有金属》1996年第1期54-56,共3页Chinese Journal of Rare Metals

摘　　要：本文利用直流磁控溅射技术，在（１００）钇稳定的ＺｒＯ２基片上制备出ｃ轴取向很好的Ｙ１－ｘＨＯｘＢａ２Ｃｕ３Ｏ７－δ（０＜ｘ≤１）超导薄膜。实验中所用的靶材由ＹＢＣＯ和ＨＢＣＯ超导材料各一半组成。随着ＨＢＣＯ靶材到加热器距离的变化，钬的含量发生变化，当ｘ＝０．７（原子比），零电阻温度Ｔ∞＞８３Ｋ。

关 键 词：YHBCO 超导体 薄膜 直流磁控溅射 分割靶法 

分 类 号：TM260.51[一般工业技术—材料科学与工程]