Ga_nN_m^-阴离子团簇的结构及稳定性的研究  

Study of structure and stability of Ga_nN_m^- anions

作　　者：李恩玲[1] 王雪雯[2] 陈贵灿[1] 马红[3] 薛英[3] 

机构地区：[1]西安交通大学微电子研究所,西安710049 [2]西北大学信息科学与技术学院,西安710068 [3]西安理工大学理学院,西安710048

出　　处：《物理学报》2006年第5期2249-2256,共8页Acta Physica Sinica

基　　金：人事部留学回国人员资助基金(批准号:108220218);陕西省科技攻关计划项目(批准号:2005k06-G25)资助的课题~~

摘　　要：利用密度泛函理论(DFT)对GanN-(n=2—8)和GanN2-(n=1—7)阴离子团簇的结构及稳定性进行了研究.在B3LYP/6-31G*水平上进行了结构优化和频率分析,得到了GanN-(n=2—8)和GanN2-(n=1—7)阴离子团簇的基态结构.在这些团簇中,原子总数小于等于6的团簇的几何结构为平面结构,原子总数大于6的团簇的几何结构为立体结构;在所研究的团簇中,Ga4N-,Ga6N-,Ga4N2-和Ga5N2-的基态结构较稳定.Structures and stability of GanN^- （n = 2-8） and GaiN2^- （n = 1-7） anionic clusters have been studied using the density functional theory （DFT）. Structural optimization and frequency analysis were carried out at the B3LYP/6-31G^ ＊ level. All ground states of GanN^- （ n = 2-8） and GanN2^- （ n = 1-7） clusters have been obtained. Our calculations reveal that there exists a transition from planar to spacial structures at the total number of the atoms being 5 with increasing cluster size. Among different GaiN^- （ n = 2-8） and GaiN2^- （ n = 1-7） anionic clusters, Ga4N^- , Ga6N^- , Ga4N2^- and Gain2^- are more stable.

关 键 词：GanNm^-团簇 密度泛函理论(DFT) 几何结构 

分 类 号：O472[理学—半导体物理]